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ST 意法半導體(ST)推出最先進技術,延長廣播和醫學影像設備的使用壽命

 2011-06-08
功率半導體供應商ST推出新一代高頻功率電晶體。新産品可有效延長如醫學掃描器和電漿產生器(plasma generator)等高功率射頻設備的工作時間,並可提高應用性能及降低設備成本。
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經製程升級後,意法半導體最新的射頻功率MOSFET電晶體可承受高達200V的峰值電壓,較同類競爭産品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率電晶體的使用壽命,從而降低設備的停機時間和經營成本。先進的製程還能提高MOSFET的增益、能效及高功率特性,進而提高設備性能,並簡化設計。

此外,新産品採用最新的陶瓷封裝和意法半導體的塑膠氣腔封裝技術(Air Cavity,STAC®),這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性,進一步降低設備維護成本。

SD4931和SD4933分別是150W和300W N通道射頻功率MOSFET電晶體,適合用於50V DC訊號高達250MHz的應用。採用意法半導體的強化垂直矽製程和配備供螺栓式(bolt-down)安裝凸緣(flanges)的陶瓷封裝是這系列元件的兩大優勢。

STAC4932B和STAC4932F採用意法半導體的供螺栓式和倒焊(或稱無凸緣;flangeless)STAC封裝,適合100V脈衝/額定功率1000W以上的射頻應用,如驅動雷射(laser driving)和核磁共振攝影(Magnetic Resonance Imaging,MRI)。 擁有高散熱和高能效的STAC封裝配備散熱基座,可直接焊接散熱器,讓MOSFET電晶體能夠輸出高功率的高頻訊號,最大幅度地提升應用可靠性,延長設備的使用壽命。

主要特性
• 崩潰電壓(V(BR)DSS) > 200V
• 200°C最大接合點工作溫度
• 可承受20:1的全部相位負載失匹率(SD4931/4933)
• 輸出功率(POUT)︰
o 在175MHz時,最低150W,14.8dB增益(SD4931)
o 在30MHz時,最低300W,24dB增益(SD4933)
o 在123MHz時,最低1000 W(正常1200W),26dB增益 (STAC4932B/F)

採用陶瓷封裝的STAC4932B現已量産;採用STAC封裝的STAC4932F預計於今年6月量産。

更多詳情,詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com/rf