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Samsung (Memory) 三星發表新款32GB DDR3 R-DIMM記憶體模組

 2011-08-17
在此之前 , 三星已經發布了32GB的DDR3 R-DIMM記憶體模組,不過當時使用的是40nm製程DRAM顆粒,在1.5V的電壓下只能達到1333Mbps,而這次升級到30nm製程後,記憶體可以在1.35V的電壓下,頻率提升到1866Mbps。

另外,8GB SO-DIMM DDR3記憶體模組的工作電壓則為1.5V,最高資料傳輸率為2133Mbps。
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新的記憶體模組採用了30nm DRAM,單顆達到4Gb容量,而這些30nm的記憶體顆粒已在今年二月份就已經開始量產了,三星目前正在積極開發效率更高的20nm及4Gb DRAM顆粒,