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第4代600V E系列功率MOSFET降低傳導和開關損耗,提高效率

 2017-10-25

超級結器件具有業內最低的RDS(ON)*Qg FOM,可用於通信、工業和企業應用

 

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣佈,推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業和企業級電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值係數 (FOM) 即柵極電荷與導通電阻乘積,該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。

 

“我們承諾為客戶提供支援所有功率轉換過程的各種MOSFET技術,涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新的電子系統”,Vishay市場發展部高級總監David Grey說到,“有了SiHP065N60E和即將發佈的第四代600V E系列產品,我們就可以在設計電源系統架構的初期就實現提高效率和功率密度的目標,包括功率因數校正和隨後的高壓DC/DC轉換器磚式電源。”

 

SiHP065N60E採用Vishay最新的高能效E系列超級結技術製造,在10V下的最大導通電阻為0.065Ω,柵極電荷低至49nC。器件的FOM為2.8Ω*nC,比同類最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別只有93pf和593pF,可改善開關性能。在通信、工業和企業電源系統的功率因數校正和硬開關DC/DC轉換器拓撲中,這些性能參數意味著更低的傳導和開關損耗。

 

日前發佈的器件採用TO-220AB封裝,符合RoHS,無鹵素,可承受雪崩模式中的過壓瞬變,而且保證限值通過了100% UIS測試。