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Vishay發佈首顆用於軟開關拓撲的雙片600V快速體二極體N溝道MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣佈,發佈600V EF系列快速體二極體N溝道功率MOSFET的兩款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢復電荷和導通電阻,能夠在工業、電信、計算和可再生能源應用中提高可靠性,節約能源。

 

日前推出的600V快速體二極體MOSFET採用第二代超級結技術製造,很好地補充了Vishay現有的標準E系列元器件,擴充類似相移橋和LLC轉換器半橋等可用於零電壓開關(ZVS)/軟開關拓撲的產品。

 

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低10倍以上,可在這些應用中提高可靠性。低反向恢復電荷使器件能夠更快地再次隔離完全擊穿電壓,有助於避免因擊穿和熱過應力而失效。另外,減小Qrr使器件的反向恢復損耗低於標準的MOSFET。

 

28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4種封裝,分別具有123Ω和98Ω的超低導通電阻及柵極電荷,能夠在太陽能逆變器、伺服器和通信電源系統、ATX/銀盒PC開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器、半導體生產設備,以及LED和HID照明等高功率、高性能的開關電源應用裡實現極低的傳導損耗和開關損耗,從而節約能源。

 

這些器件可承受雪崩和整流模式裡的高能脈衝,保證極限值100%通過UIS測試。MEOSFET符合RoHS,無鹵素。

 

器件規格表:

WPIg_Vishay_Power_SIHG28N60EF-Spec

 

WPIg_Vishay_Power_SIHG28N60EF