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Fairchild 新推出擴展溫度中電壓 MOSFET(額定 175oC)以實現卓越的功率密度

 2015-04-08

19 種新 MOSFET(介於 30V 至 150V-Bvdss 範圍內)可將功率密度提高 85%,其可靠性更是超出行業標準 MOSFET(額定 150°C)三倍之多

 

領先全球的高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild(快捷半導體)(NASDAQ 代號: FCS)推出擴展溫度 (ET:Extended Temperature)) 中電壓 MOSFET(作業溫度 175°C),製造商借此可改進其產品的可靠性與性能。 較高的作業溫度可將功率密度提高 85%,其可靠性更是超出行業標準 MOSFET(額定 150°C)三倍之多。

 

ET MOSFET 新產品系列符合 IPC-9592 功率轉換標準,這就意味著最高接面溫度可達 150°C,而一般標準 150°C MOSFET 的最高接面溫度則為 125°C,以確保更多的設計餘量。 此系列包含 19 種新裝置,提供 5 mm x 6 mm 和 3 mm x 3 mm 標準封裝,以及全新的 TO-Leadless (TO-LL) 封裝。 這些裝置有多種額定電壓可選,包括 30V、40V、60V、80V、100V、120V 和 150V。

 

他們將卓越的耐熱性、較高的功率密度和改良的可靠性完美結合,使得 Fairchild 的 ET MOSFET 產品系列成為各種應用中 DC-to-DC 電源、AC-to-DC 電源及馬達裝置的理想之選,包括航空電子裝置、微型太陽能逆變器、電動工具與電信等應用。

 

Fairchild iFET 產品線副總裁 Suman Narayan 指出︰「作為 Fairchild ET MOSFET 綜合產品線的最新產品,此系列為設計工程師提供更多的『餘量』,進行可以或必須應對高溫的產品設計,而無需依賴散熱器或其他會增加產品成本和複雜性的散熱方法。 這些新裝置繼續延續 Fairchild 傳統為設計工程師提供比競爭產品具有更多設計餘量的解決方案。」

 

這些新 ET MOSFET 能夠在 175°C 作業,尤其適用於必須在高環境溫度下作業的產品,如太陽能與乙太網路供電 (POE) 應用。 此外,這些裝置大幅提高的可靠性對在惡劣環境下使用的產品來說也是一個優勢,包括航空電子裝置、鐵路與電動工具應用。

 

其核心優勢在於,在很小的封裝內實現擴展的溫度範圍與較高的功率密度,可確保製造商的產品設計具有更多的靈活性。 這樣,設計師便可減小其產品的尺寸 —— 並保持相同的功率輸出 —— 或增加功率輸出而無需增加大小。

 

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