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意法半導體(ST)的新650V超接面MOSFET提升照明能效和安全系數

 2015-02-04

ST最新超接面(super-junction)功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。

 

MDmesh M2系列產品擁有最新、最先進的超接面技術,具有比上一代產品更低的導通電阻(RDS(ON)),以及更低的閘極電荷(QGD)和輸入/輸出電容(Ciss/Coss)。此外,這些產品更進一步降低了能源消耗和熱散逸(heat dissipation),讓開發人員能夠更快地設計出更高效的產品。

 

同時,與市場現有的600V典型產品相比,意法半導體的新產品將崩潰電壓提高至650V,確保新產品具有更高的安全系數,讓設備廠商能夠設計更穩固且更可靠的系統。

 

新系列產品還增加了一款採用表面黏著封裝的PowerFLAT 5x6 HV高電壓產品,雖然封裝面積和厚度都很小,但卻擁有極佳的熱性能和電流處理能力。預計於2015年第一季投入量產的PowerFLAT 5x6 HV 產品可大幅提高功率密度,協助設備廠商研發尺寸更小的下一代產品,而在實現高輸出功率的同時,不會影響工作可靠性。

 

MDmesh M2 MOSFET的目標應用包括筆記型電腦、印表機和遊戲機等設備的外接電源,以及電視機和音響系統的內部電源。3W-25W單管LED燈引擎以及大功率多管LED燈引擎驅動器也將受益於新產品的熱效率與熱性能。PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇,為尺寸精巧的家用和商用逆變器模組帶來MDmesh M2產品的能效優勢。

 

22 MDmesh M2 650V MOSFET現已上市,最大額定電流範圍為4A至11A,最低導通電阻RDS(ON)降至0.360Ω。STD6N65M2採用D2PAK封裝。

 

欲了解更多訊息,請瀏覽www.st.com/mdmeshm2