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ST 意法半導體新抗輻射元件擁有同類產品中最佳的性能,並通過美國航太專案的認證測試

 2014-08-12

 

新JANSR+100krad低劑量速率電晶體為太空和其它輻射應用科技領提供優異的抗電離輻射性能

 

橫跨多重電子應用領域、全球半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)在近期招開的巴黎核太空輻射效應大會(NSRECNuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布,其現有的JANS/JANSR[1]產品新增一系列經篩選獲得國防軍備後勤局DLADefense Logistics Agency)認證的JANSR雙極電晶體。擁有同類產品中最佳的抗輻射性能,使意法半導體的新電晶體特別適用於航太和高可靠性系統,包括衛星以及核物理(nuclear physics)和醫療應用。

 

意法半導體自1977年起開始為歐洲太空總署(European Space Agency)提供半導體解決方案,在歐洲太空總署成立後一直獲得該太空總署的產品認證。意法半導體持續不斷改善抗輻射產品的性能,目前推出的新產品就是一個很好的範例。

 

 

JANS系統意法半導體2013年發佈的歐洲航太元件協調委員會(ESCCEuropean Space Components Coordination專案的創新成果。新發佈的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率雙極電晶體,意法半導體對每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測試。此外,意法半導體還宣佈其JANSR+產品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測試數據,展現出色的抗輻射效應性能。

 

因此,意法半導體的JANSR+系列產品讓客戶有機會使用抗輻射性能優異且配備所有相關測試數據的抗輻射產品。客戶可直接使用這些產品,無需任何額外的篩選成本和交貨週期,因此大幅提升了抗輻射產品的市場標準。

 

意法半導體事業群副總裁暨功率電晶體產品部總經理Mario Aleo表示:「意法半導體為歐洲航太工業提供抗輻射雙極電晶體的時間長達35年,我們的產品飛行時間累計超過數億個小時。我們經特別調整的航太技術設計取得了同類最好的抗輻射性能,現在又獲得了DLA證書,美國客戶將受益於無與倫比的耐輻射性能。

所有產品都採用先進的密閉UB封裝,可立即提供樣品及開放大量訂貨。

 

更多詳情請至www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr

 

 

技術說明

(1)  半導體元件的輻射效應與多種因素有關。對於雙極電晶體,總輻射劑量(總輻射劑量越大,輻射影響越大)和劑量速率(當總輻射劑量固定時,劑量速率越低,輻射影響越大)是兩個重要因素。低劑量速率特性對於衛星至關重要,因為太空中的劑量速率很低(在10 mrad/s範圍內)。不過,標準JANSR認證只考慮高劑量速率,而高劑量速率既不是最惡劣的輻射情況,也不是半導體元件在太空中經常遇到的輻照狀況。

輻射強化元件又稱抗輻射元件,按照太空總署測試規範,抗輻射元件是在輻射環境中接受測試,以便讓設計人員知道產品能否成功耐受輻射,經過輻射後元件能否達到預期性能。抗輻射元件是為耐受最惡劣的太空輻射環境而專門研發的半導體元件。吸收輻射劑量的測量單位為rad。意法半導體的產品在實際太空條件下輻射性能十分優異,並配有支援其所聲稱的抗輻射性能的測試數據。

 

(2)  據文獻記載,業界公認全身輻照劑量達到10 krad將會導致死亡。 JANSR規範保證抗輻射性能達到100 krad

 

(3)   JANSR+低劑量速率保證測試是對每顆晶圓進行10項測試(5個偏壓和5個不偏壓)。每件產品都配備輻射驗證測試(RVT)報告,包含在5種不同輻射程度時重要參數的漂移。

 

(4)  意法半導體的新抗輻射雙極電晶體的最大集電極-發射極電壓高達160V, 最大集電極電流高達5A,正向電流增益(hFE)高達450

 

 

 

 

關於意法半導體

意法半導體(STMicroelectronicsST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧型消費性電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。

 

意法半導體2013年淨收入80.8億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。 

 




[1] JANSx(Joint Army Navy Space)是美國國防後勤局製訂的品質規範。