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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度

 2014-06-10

 

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導通電阻小於100mΩ的全球最小60VNMOS─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm,高度則是一般的0.5mm,並採用了DFN1616封裝,有助於在手機、超薄液晶電視、掌上遊戲機及移動上網設備等受空間限制的產品內實現更高的功率密度。

 

 

 

全新MOSFET的導通電阻在VGS達到4V時低至74 mΩ,可儘量減少導通損耗及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支持2A的連續電流以及10A的脈衝電流,有效應付直流-直流轉換尖峰。

 

 

這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列之一,旨在滿足負載開關、直流-直流轉換及信號開關占空比的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇,適合消費性電子產品、工業控制及採暖、通風與空調設備等多種應用。

 

 

 

如欲瞭解進一步產品資訊,請訪問公司網站www.diodes.com