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意法半導體(ST)的節能功率晶片系列可提升能效、安全性和可靠性

 2014-05-27

 

最新的高速絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)兼具近乎完美的開關能效和650V的寬額定工作電壓,為應用設計提供更高的安全係數

 

意法半導體的新HB系列絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產品低40%的關機能源(turn-off energy),同時可降低達30%導通損耗。

  

HB系列利用意法半導體的溝槽型絕緣閘極雙極性電晶體製程,集極關斷無曳尾(collector-current turn-off tail-less)電流極低,飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值),從而最大幅度降低了開關和導通時的能耗。此外,這項技術具有良好的可控性,參數分佈窗口十分緊密,從而可提高設計再用性,簡化系統設計。

 

 

意法半導體的HB系列IGBT可提升目標應用的能效,例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機(welders)、不斷電系統(uninterruptible power supplies)、功率因數校正器(power-factor correction)和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40°C時崩潰電壓(breakdown voltage)至少600V,使其特別適用於寒冷地區的太陽能逆變器。 175°C的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA,Safe Operating Area)提高了產品的可靠性,讓目標應用使用更小的散熱器。

 

 

可選參數包括30A到80A(在100°C時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振(resonant)或硬式開關電路(hard-switching circuits)最佳化的內建二極體的封裝。

 

 

HB系列產品現已量產。詳情請至www.st.com/igbt

 

 

 

關於意法半導體

意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧型消費性電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com