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Infineon 推出新 LTE LNA和 LNA 模組,提高智慧型手機資料傳輸率高達 96%,提升使用者體驗

 2014-05-14

英飛凌科技股份有限公司推出新 LTE 低雜訊放大器 (LNA) 和四頻 LNA 模組,專為提高智慧型手機資料傳輸率所設計。

LTE (也就是 4G) 是最新的無線通訊標準,其資料傳輸率高達 300 Mbit/s (目前 UMTS (3G) 的資料傳輸率僅 56 Mbit/s),明顯縮短行動網路連線的載入時間,並大幅提升智慧型手機使用者的使用舒適度和滿意度。

但要滿足使用者對 LTE 高資料傳輸率的期待,對目前的行動裝置來說將是一大挑戰。由於射頻前端的複雜度提高,因此裝置必須加入更多的射頻元件 (如切換器、雙工器和分頻器),整個系統的損耗和訊號雜訊比 (SNR) 的衰退也都會因此提高。此外,天線與射頻收發器之間的距離也會額外增加線路損耗,對 SNR 造成負面影響,進而降低資料傳輸率。

英飛凌 BGA7x1N6 及 BGM7xxxx4L12 系列具有低雜訊指數、精確的增益和高線性,能協助智慧型手機設計人員克服這些難題。這些產品採用英飛凌的先進矽鍺 (SiGe) 晶片技術,並內建 ESD 防護功能。

新推出的 LNA 和 LNA 模組同時建置於手機的天線分集和主集路徑,以提高系統的靈敏度,確保使用者獲得最佳的使用體驗。這些裝置比未採用 LNA 的解決方案提高多達 96% 的資料傳輸率,能讓 LTE 發揮最大功效。全新系列裝置具有高線性,即使在天線隔離度不佳,及天線與收發器間線路損耗過高的狀況下也能確保擁有優異的收訊。相較於未採用 LNA 的系統,此系列的一般靈敏度可改善 3.4 dB,LNA的封裝尺寸比舊款 LNA 縮小 70% (1.1 mm x 0.7 mm),LNA 模組的尺寸則縮小 61% (1.9 mm x 1.1mm)。

上市時間與封裝
英飛凌推出三款 LTE LNA 和七款四頻 LNA 模組系列,滿足世界各地對頻段組態的不同需求。系列名稱中的字母各自代表不同的頻段 (L 代表低頻段,0.7 至 1.0 GHz 頻段;M 代表中頻段,1.7 至 2.2 GHz 頻段;而 H 則代表高頻段,2.3 至 2.7 GHz 頻段)。
‧BGA7L1N6
‧BGA7M1N6
‧BGA7H1N6
‧BGM7LLHM4L12
‧BGM7LLMM4L12
‧BGM7MLLH4L12
‧BGM7MLLM4L12
‧BGM7LMHM4L12
‧BGM7HHMH4L12
‧BGM7MHLL4L12

裝置採用符合 ROHS 標準的 TSNP-6-2 或 TSLP 12-4 塑膠封裝。

有關 BGA7x1N6 LTE LNA 和 BGM7xxxx4L12 四頻 LNA 模組系列的其他技術資訊,請瀏覽:www.infineon.com/rfmmic

關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG) 總部位於德國紐必堡(Neubiberg),提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2013計年度 (截至9月底) 營收為38.4億歐元,全球員工約為26,700名。)。