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Vishay發佈採用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝的低導通電阻-12V、-20V和-30V Gen III P溝道MOSFET

 2014-03-12

日前,Vishay宣佈擴充其採用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix MOSFET是為在可擕式電子產品中節省空間及提高效率而設計的,占位面積只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

對於電池管理系統中的負載和電池開關,以及智慧手機、平板電腦、行動計算裝置、硬碟驅動器和固態驅動的同步降壓轉換應用裡的控制開關,-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5mΩ(-4.5V),-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外,SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A,承受很大的湧入電流,可用於負載開關。

器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現更低的壓降,更有效地使用電能,並延長電池壽命,同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對於小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用,MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或“自舉”器件,簡化了柵極驅動的設計。

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定,符合RoHS指令2011/65/EU。

WPI_Vishay_MOSFET


VISHAY
簡介

Vishay 是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。