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Fairchild 飛兆新款N溝道MOSFET設計用於處理1.8W的功率耗散

 2013-12-25

 

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈推出30V、9mW FDC796N和100V、70mW FDC3616N的高效N溝道MOSFET器件,專為處理1.8W的功率耗散而設計,適用于各種應用範疇的小外形DC/DC電源,包括電信設備和互聯網集線器及路由器,以至儀錶設備和ATE設備。

 

FDC796N和FDC3616N是飛兆半導體最新獨特功率MOSFET系列中的產品,該系列結合了飛兆半導體的PowerTrench技術和SuperSOT-6 FLMP(倒裝引腳鑄模封裝),為設計人員帶來的優點,包括高性能以及封裝所占的電路板空間比SO-8少70%。FDC796N和FDC3616N同時提供極低的RDS(on)額定值和低柵極電荷(通常分別為14nC和23nC),封裝只佔用9平方毫米的印製電路板面積(SO-8封裝則佔用30平方毫米)。

 

飛兆半導體的專利FLMP封裝省去了傳統的線邦定,還提供印刷電路板和MOSFET模片(漏極連接)之間的超低熱阻路徑。與許多其它MOSFET封裝相比,這種封裝能通過減少電和熱的損耗,大大提升產品性能。例如:與具有類似熱性能器件的常用SO-8封裝相比較,FDC796N所占的印刷電路板面積只有其三分一。而且,傾向於採用更小的八分之一和十六分之一磚的模組電源是電信和其它行業的應用趨勢。在原邊開關點採用FDC3616N並在同步整流端使用FDC796N的組合,可為微型半橋、48V電信輸入的DC/DC轉換器,提供良好的解決方案。

 

此外,30V FDC796N更適用於同步降壓POL(負載點),以及可在開關頻率高達1MHz下工作的電源。在這種應用中,低電感SSOT-6 FLMP可與低柵極電荷及低柵極阻抗MOSFET相輔相成,從而進一步降低開關損耗。