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Vishay 推出22款導通電阻低至30mΩ電流達6A~105A的新器件擴充650V N溝道功率MOSFET系列

 2013-07-03

【產品介紹】

 

新的E系列器件採用超級結技術,在8種封裝中實現低FOM和高功率密度

 

 

 

 

 

【產品特色】

 

其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件採用8種不同封裝,將10V下的導通電阻擴展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴大為6A~105A。650V E系列MOSFET基於下一代Vishay Siliconix超級結技術,針對可再生能源、工業、照明、電信、消費和計算市場中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應用,我們拓展了器件的峰值性能指標。

 

 

 

【規格說明】

推出的器件使E系列的器件總數達到26個。所有E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷,可實現極低的傳導和開關損耗,可在功率因數校正、伺服器和通信電源系統、焊接、不斷電供應系統(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體製造設備、適配器和太陽能逆變器等高功率、高性能開關電源中節省能源。

 

器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈衝而設計,通過100%的UIS測試確保極限性能。

 

編號

V(BR)DSS (V)

ID @ 25C(A)

RDS(ON) max. @ Vgs   = 10 V (mΩ)

Qg   typ @ Vgs = 10V (nC)

封裝

樣品

SiHP6N65E

650

6

600

21

TO220

已發佈

SiHF6N65E

650

6

600

21

TO220F

已發佈

SiHB6N65E

650

6

600

21

TO263 (D2PAK)

已發佈

SiHD6N65E

650

6

600

21

TO252 (DPAK)

已發佈

SiHU6N65E

650

6

600

21

TO251 (IPAK)

已發佈

SiHP12N65E

650

12

380

33

TO220

可供貨

SiHB12N65E

650

12

380

33

TO263 (D2PAK)

可供貨

SiHF12N65E

650

12

380

33

TO220F

可供貨

SiHP15N65E

650

15

280

44

TO220

已發佈

SiHB15N65E

650

15

280

44

TO263 (D2PAK)

已發佈

SiHF15N65E

650

15

280

44

TO220F

已發佈

SiHP22N65E

650

22

180

65

TO220

已發佈

SiHF22N65E

650

22

180

65

TO220F

已發佈

SiHB22N65E

650

22

180

65

TO263 (D2PAK)

已發佈

SiHG22N65E

650

22

180

65

TO247AC

已發佈

SiHP24N65E

650

24

150

83

TO220

已發佈

SiHB24N65E

650

24

150

83

TO263 (D2PAK)

已發佈

SiHG24N65E

650

24

150

83

TO247AC

已發佈

SiHP28N65E

650

28

125

99

TO220

五月

SiHG28N65E

650

28

125

99

TO247AC

五月

SiHW28N65E

650

28

125

99

TO247AD

五月

SiHG47N65E

650

47

70

178

TO247AC

可供貨

SiHW47N65E

650

47

70

178

TO247AD

可供貨

SiHG64N65E

650

65

51

244

TO247AC

五月

SiHW64N65E

650

65

51

244

TO247AD

五月

SiHS105N65E

650

105

30

405

Super TO247

五月

 

 

 

 

【產品參考文件】

http://www.vishay.com/company/press/releases/2013/130522mosfet/