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AOS 發佈業界最低內阻 適用通信及工業電源的150V MOSFET旗艦產品: AON6250

 2013-05-22

DFN5*6封裝極低導通內阻,超強開關性能實現更高功率密度

日前,集設計,研發一體的著名功率半導體及晶片供應商萬國半導體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)今天發佈了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS™ (MOS™)中壓系列旗艦產品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。AON6250適用於通信及工業電源DC/DC轉換器原邊開關、AC/DC及DC/DC轉換器副邊同步整流,太陽能微逆變器,以及通信系統中的負載點模組(POL)。

 

採用先進的AlphaMOS™技術,AON6250實現了業界領先的低導通內阻和高速開關性能。該產品與上一代產品相比,內阻降低了57%;與市場上現有最先進的同類型150V器件相比,內阻降低了8% ,除此之外, AON6250的優值(RDS(ON)* COSS)也是市場上最好的,從而可以有效降低開關損耗。因此無論是輕載條件還是重載條件,效率都有所提高。AON6290採用DFN5x6封裝,符合綠色環保產品相關規定,且電氣性能方面100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試。繼AON6250之後,萬國半導體(AOS)將發佈一系列150V MOSFET產品。.

 

 “終端客戶總是要求電源系統輸出更高功率並且佔用更小的空間,這讓電源設計工程們面臨嚴峻考驗” , AOS高級產品經理Stephen Chang表示, “實現其功率密度,需要器件具有極低的導通內阻以及良好的開關性能,AON6250正好可以滿足工程師的需求。.”

 

 

AON6250 技術優勢:

  • 150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package
  • RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業內最低內阻)
  • COSS = 213 pF typ
  • Qg (10V) = 30.5 nC typ
  • 業內最低 RDS(ON) * COSS  (優值, 可以有效降低開關損耗)
  • 100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試

 

 

關於萬國半導體(AOS:

Alpha and Omega Semiconductor (AOS)為集設計、開發與銷售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產品線,包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power IC)產品系列。AOS在器件物理,工藝技術,電路設計及封裝設計上擁有豐富的經驗。通過將這些經驗整合用於產品性能以及成本控制的優化,AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產品線設計的目標是滿足日益增長的高產量,高效能產品的應用需求,包括手提電腦、平板電視、電池、智慧手機、可擕式媒體播放機、UPS、電機控制和電力供應等。想要瞭解更多的產品資訊,請進AOS網站http://www.aosmd.com

 

前瞻性聲明:

本新聞稿包含前瞻性聲明。這些前瞻性聲明僅代表公司目前的預期、估計、假設和預測。這些聲明是基於公司或管理層就當前產品發展趨的判斷和預測。前瞻性聲明包括我們目前對新產品的效能及市場開發潛力的觀點。這些聲明中包含各類風險和不確定性因素,可能導致實際結果與此前瞻性聲明中明示或默示的結果大相徑庭。這些因素包括但不限於產品實際量產能力、產品的品質和性能、我們執行戰略方案的設計能力、總體的商業和經濟環境、半導體行業的現狀和其他在公司年報中及其他定期向美國證券交易委員會提交的報告中所詳細說明的其他因素。儘管我們認為在這些前瞻性聲明中所做的預期是合理的,但卻無法保證該預期最終一定與事實、執行力和成果相符。本新聞稿僅於發佈當日有效。除適用的法律要求外,我們概不承擔任何更新本文資訊的義務,請讀者勿過於倚賴本聲明。

 

 

 

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