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Infineon 推出 DrBlade:採用創新晶片嵌入式封裝技術的新一代 DrMOS

 2013-03-27

英飛凌科技股份有限公司在 2013 應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC) 中宣佈推出 DrBlade:全球第一款採用創新晶片嵌入式封裝技術的整合式 DC/DC 驅動器及 MOSFET VR 功率級(power stage)。DrBlade 包含最新一代的低壓 DC/DC 驅動器技術及 OptiMOS™ MOSFET 元件。MOSFET 技術擁有最低的導通阻抗及應用最佳化的優值係數,能達到最高的 DC/DC 穩壓應用效率,適用於電腦及電信,包括刀鋒(Blade)及機架式(Rack)伺服器、電腦主機板、筆記型電腦及遊戲機等。

英飛凌DrBlade 包含最新一代的低壓 DC/DC 驅動器技術及 OptiMOS™ MOSFET 元件。創新的 Blade 封裝技術,大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感,同時亦降低熱阻。


全新的 Blade 封裝技術
英飛凌創新的 Blade 封裝技術,採用晶片嵌入概念,使用電鍍製程以取代標準的封裝製程,例如打線、夾焊以及常見的成形技術。此外,晶片也加以層壓介質(laminate foil)保護,使裝置得以大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感,同時亦降低熱阻。

英飛凌低壓功率轉換資深協理 Richard Kuncic 表示:「英飛凌是業界第一家推出採用 Blade 技術的整合式驅動器及 MOSFET 半橋的半導體公司。DrBlade 的推出,可提升伺服器應用在全負載範圍的效率,再度證明我們在功率半導體產業的領導地位。」

省空間、高效率
DrBlade 封裝面積為 5x5mm,高度僅 0.5mm,可滿足電腦系統對於更高的功率密度及省空間的需求。DrBlade 擁有最佳化的針腳規劃,可簡化 PCB 佈線。採用全新的晶片嵌入式封裝技術,再結合英飛凌的 OptiMOS MOSFET,使 DrBlade 成為低電壓市場最佳的解決方案。

上市時間與定價
DrBlade 目前已開始提供樣品,並將自 2013 年第二季開始量產。

有關英飛凌新推出的 Blade 系列產品的詳細資訊,請瀏覽:www.infineon.com/drblade

關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG) 總部位於德國紐必堡(Neubiberg),提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2012計年度(截至9月底)營收為39億歐元,全球員工約為26,700名。