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Vishay 發佈採用3.3mm平面封裝並在4.5V柵極驅動下具有4.8mΩ低導通電阻的20V P溝道MOSFET

 2013-02-27

日前,Vishay宣佈推出業界首款採用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET Si7655DN。Si7655DN還是首個採用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的器件,在實現低導通電阻的同時,高度比通常的0.75mm還要低28%,同時保持相同的PCB布版樣式。

 

Si7655DN的應用將包括工業系統中的負載開關和熱插拔,適配器、電池和充電電路中的負載開關,智慧手機、平板電腦和其他行動計算裝置中的電源管理。Si7655DN還可以用於固話電信、蜂窩電話基站和伺服器/電腦系統中的冗餘開關、OR-ing和監管應用。

 

利用新的PowerPAK 1212封裝型號和Vishay Siliconix業內領先的P溝道Gen III技術,Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導通電阻。這些性能規格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

 

Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在電路中實現更低的壓降,更有效地使用電能,讓電池運行的時間更長,且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節省寶貴的空間。

 

Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。

 

新的Si7655DN現可提供樣品,並已實現量產。

 

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請流覽網站 www.vishay.com