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Infineon 650V TRENCHSTOP™ 5 重新界定IGBT 同級最佳效能 , 切換損失減少逾60%

 2012-11-28

英飛凌科技股份有限公司發表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP™ 5 系列產品,其導通損失和切換損失均遠低於目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品,英飛凌為IGBT 效能立下新標竿,繼續在效率需求不斷提升的市場中保持領先地位。

新技術的崩潰電壓提高至650V,讓設計擁有更高的安全餘裕。目標拓樸為PFC (AC/DC) 升壓級和高電壓DC/DC 拓樸,常見於光伏逆變器、不斷電系統(UPS) 和變頻焊接機具等應用。

TRENCHSTOP™ 5 擁有兩個系列產品,一為HighSpeed 5 (H5),這是一款使用方便的軟性high speedIGBT,隨插即用可立即取代現有的IGBT,大幅簡化設計時程。另一款為HighSpeed 5 FAST (F5),提供業界最佳的效率;舉例來說,在使用「H4 全橋」拓樸的光伏逆變器應用中,所測得的系統效率可達到98% 以上。

英飛凌IGBT 功率分離式元件行銷協理Roland Stele 表示:「TRENCHSTOP™ 5 不僅讓IGBT 的效能大幅躍進,同時更改善系統效率、提高崩潰電壓,並提升可靠性,進而降低整個平台的系統成本。對於客戶來說,希望擁有一個具備上述所有優點的解決方案,TRENCHSTOP™ 5 就是唯一的選擇。」

全新的TRENCHSTOP™ 5 為各式目標應用提供了多項優勢。與目前業界最佳的英飛凌HighSpeed (H3) 系列相較,TRENCHSTOP™ 5 導通損失減少10% 以上,整體的切換損失也降低60% 以上。效率大幅提升,可降低操作時的接面溫度,提升使用壽命可靠度或功率密度設計。如應用測試所顯示,TO-220 封裝的TRENCHSTOP™ 5 的零件溫度比TO-247 封裝的H3 低了15%。

其他優勢還包括:飽和電壓(Vce(sat)) 和關斷切換損失(Eoff) 的正溫度係數,確保效能不致在高溫操作下衰減,並能輕易並聯。閘極電荷(Qg) 比H3 少了2.5 倍,讓IGBT的運作成本也更為降低。此外,TRENCHSTOP™ 5 具備快速回復特性的飛輪二極體,相對溫度穩定的順向壓降(VF),且反向恢復時間(Trr) 少於50 奈秒。低輸出電容(Coss 和Eoss),可提供優異的輕載效率,極適合最高額定值在40% 以下運作為主的設計。

上市時程
H5 和F5 衍生產品將從11 月中旬開始提供樣品。詳細資訊請瀏覽:www.infineon.com/trenchstop5





關於英飛凌
英飛凌(Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg),提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率(energy efficiency)、移動性(mobility)與安全性(security)。2011計年度(截至9月底)營收為40億歐元,全球員工約為26,000名。