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Bridgelux與Toshiba共同開發氮化鎵上矽

 2012-06-20

LED照明技術與解決方案的研發與製造領導廠商Bridgelux公司,以及全球領導半導體製造商Toshiba公司,共同宣布成功開發出業界最高水準的8吋氮化鎵上矽(GaN on Silicon)LED晶片,Toshiba 亦對Bridgelux 進行股權投資。

 

這項新技術是採用350mA電流,電壓小於3.1V,僅1.1mm大小的LED晶片,亮度可達614mW。Bridgelux與Toshiba在今年數月前才剛簽署一項共同合作協議,接下來雙方將進一步加快開發LED晶片的腳步,以因應全球對LCD面板和照明系統日漸增加的需求。

 

Toshiba亦對Bridgelux進行股權投資,以期共同追求固態照明領域的技術創新;這項投資將進一步促進兩家公司於固態照明領域的發展,並以Toshiba先進的矽加工和製造技術開發能力為基礎,加速推動Bridgelux氮化鎵上矽LED晶片技術的研究與開發。

 

Bridgelux執行長Bill Watkins表示:「Toshiba與Bridgelux長期攜手開發技術,而股權投資將使兩家公司形成更密切的策略關係,以達到促進降低照明市場中固態照明解決方案成本的共同目標。」

 

Toshiba副總裁暨半導體與儲存裝置產品執行副總裁MakotoHideshima表示:「我們很高興能與Bridgelux共同進行開發活動,達到業界最佳效能的8吋氮化鎵上矽LED產品。我們將持續追求最先進的技術,目標將技術進一步商品化。」