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Vishay推出下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件

 2012-05-23

D系列MOSFET採用高壓條帶技術,使效率和功率密度達到新的水準

 

Vishay推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,採用多種封裝。

 

日前發佈的D系列MOSFET基於新的高壓條帶技術,使效率和功率密度達到新的水準。器件的條帶設計加上更小的裸片尺寸和端接,使柵極電荷比前一代方案低50%,同時提高了開關速度,降低了導通電阻和輸入電容。

 

400V、500V和600V器件的導通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關損耗,能夠在伺服器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、螢光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節約能源。

 

D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC,具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積,該值是用在功率轉換應用中MOSFET的關鍵優值係數(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。

 

新的D系列MOSFET採用簡單的柵極驅動電路、非常耐用的本體二極體,易於設計到更緊湊、更輕、發熱更少的終端產品中。器件符合RoHS指令,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定,雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩定可靠地工作。

 

器件規格表:

*目標標準,產品即將面世

 

新的D系列MOSFET現可提供樣品,將在2012年3季度實現量產。

 

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請流覽網站www.vishay.com