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Freescale射頻高功率LDMOS電晶體為廣播電視發射器設立了新基準

 2011-12-28

新的MRFE6VP8600H在完整UHF頻段上帶來最佳的輸出功率、效率和耐用性

 

Freescale宣佈推出高功率射頻LDMOS電晶體,該產品結合了業界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性,專門面向UHF廣播電視應用而設計。

 

作為Freescale RF功率LDMOS電晶體系列的最新成員,MRFE6VP8600H與其上一代產品相比輸出功率提高39%,其設計在滿足ATSC、DVB-T和ISDB-T等許多主要數位電視傳輸標準要求的同時帶來業界最高性能。

 

MRFE6VP8600H 為電視發射機製造商和廣播公司提供了顯著優勢。例如,電晶體可以在完整廣播頻段中交付125W的線性功率(超過600W峰值包絡功率),並可以帶來極高的效率(通常在860 MHz時為30%,當採用Doherty配置時可高達45%)。

 

UHF頻段範圍從470 MHz到860 MHz,廣播公司使用這些頻段傳輸無線電視信號。目前,絕大多數採用數位廣播的電視臺都在使用UHF頻段。

 

Freescale RF部門副總裁兼總經理Ritu Favre表示,“新的MRFE6VP8600H再次加強了Freescale提供客戶發展所需的卓越性能和效率的持續承諾,即便在面對極為嚴格的市場要求的行業中亦是如此。該新產品的推出強調了Freescale具有標誌性的運營方針,即利用其對網路市場的深入瞭解,通過智慧、系統級的設計流程實現性能和效率收益。”

 

MRFE6VP8600H具有更高的RF輸出功率和效率,可降低電晶體的總數和指定輸出功率所需的合成階段,與上一代固態系統相比,可説明簡化發射器設計並提高可靠性。與上一代產品相比,基於MRFE6VP8600H的發射器使用的電量最高可節省15%,從而可節省大量運營成本。

 

MRFE6VP8600H是同類產品中最耐用的RF功率LDMOS電晶體。當驅動其全額定RF輸出功率時,該設備在所有相位角驅動超過65:1的阻抗失配(VSWR)時都不會出現性能下降,即使由兩倍的額定輸入功率驅動。電晶體的耐用性使它在天線結冰、輸電線路故障或操作錯誤等不利條件下能夠更加可靠,即便是在由預失真系統創建的驅動峰值出現時。

 

另外,MRFE6VP8600H可輕鬆應對由高選擇性通道濾波器導致的頻段外反射負載條件,以及採用DVB-T (8k OFDM)等高階調製技術的數位傳輸方案的高峰均比(PAR)特性。MRFE6VP8600H的增強耐用特點也使其可以採用經簡化的發射器保護電路。

 

MRFE6VP8600H的主要規格包括:

  • 860 MHz時具有125W平均RF輸出功率(DVB-T [8k OFDM] 信號),19.3 dB 增益和30%的效率。
  • 600 W峰值RF功率。
  • 可以採用Class AB、Doherty或漏極調製放大器架構設計,消除了對於針對每種架構而優化的專用設備的需求。
  • 集成靜電放電(ESD)保護在裝配過程中針對出現的雜散電壓提供電阻。
  • 當作為Doherty放大器的峰值階段運行時,-6V至+10V的擴展負柵-源電壓範圍可提高性能。
  • 封裝在Freescale的NI-1230螺栓式陶瓷氣腔封裝(MRFE6VP8600H)或NI-1230S焊接式陶瓷氣腔封裝中。

 

上市

MRFE6VP8600H/HS目前已投入生產。還為設計者提供了寬頻參考設計和其他支援工具。如需瞭解有關MRFE6VP8600H的詳細資訊,請訪問www.freescale.com/RFbroadcast,如需瞭解有關RF功率LDMOS解決方案的詳細資訊,請訪問www.freescale.com/RFpower

 

 

關於Freescale半導體

Freescale是全球領先的半導體公司,為汽車、消費、工業和網路市場設計並製造嵌入式半導體產品。公司總部位於德州奧斯丁市,並在全球範圍內擁有設計、研發、製造和銷售機構。