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ST_意法半導體提升超高速(UHS-I)micro-SD卡ESD保護晶片的靈活性

 2011-11-30

全球半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出新款單晶片整合EMI濾波與靜電放電(ESD)保護兩種功能的晶片,為配備SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手機、平板電腦和3G無線網卡帶來獨一無二的保護功能。

 

 

 

根據Strategy Analytics內建記憶卡的手機市場預測報告顯示,截至2013年,約5億台手機將內建UHS-I 相容SD卡。UHS類記憶卡擁有最高2 Terabyte的儲存容量,其高速的儲存性能可提升消費者的使用體驗,如直接錄製高畫質視訊、播放共用內容或備份資料。

 

手指觸控手機會產生靜電放電現象,這些靜電可能會燒毀系統電路,因此卡內暴露的針腳須具備靜電放電保護功能。為確保系統與記憶卡之間的通訊速度不受影響,設計人員必須根據特定介面的要求最佳化EMI濾波器與ESD保護晶片。意法半導體的新款晶片EMIF06-MSD03F3可保護資料速率高達104MB/秒的UHS-I micro-SD記憶卡介面。

 

EMIF06-MSD03F3採用同類產品中最先進的微型封裝技術,相較於競爭產品,EMIF06-MSD03F3可支援插電式或機械式卡插入識別,這個特性讓設計人員能夠自由選用最適合應用設計和主機系統的卡識別方法。新產品還內建提升電阻(pull up resistor),當無卡插入時確保系統特性正常;此外還整合了可濾除GSM干擾訊號的EMI濾波器。

 

 

EMIF06-MSD03F3的主要特性

 

  • ±15kV ESD保護電路(IEC 61000-4-2)

  • 保護SD卡的全部資料線和電源線

  • 7pF最大負載電容

  • 16-bump0.4mm間
    間距晶圓級封裝(WLCSP)

  • 1.54 x 1.54mm微型輪廓

  • 意法半導體獨有的IPAD™(Integrated Passive and Active Device technology)整合被動和主動元件技術

 

 EMIF06-MSD03F3採用0.4mm間距WLCSP封裝。