新聞中心

Vishay推出採用miniQFN封裝新款的低壓類比開關 2.7V下的最大導通電阻為0.6Ω

 2011-11-02

Vishay宣佈推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓類比開關。這些器件具有低工作電壓和低導通電阻,採用小尺寸miniQFN封裝,可在空間受限的可擕式終端產品中用於音訊、SIM卡和多功能信號切換。

 

DG2735A和DG2725是雙路SPDT開關,採用miniQFN10封裝,工作電壓為1.65V~4.3V。DG2735A可確保在2.7V下的最大導通電阻為0.6Ω,在2.7V下的開啟和關斷時間為64ns和42ns,是接收機和揚聲器中音訊輸出切換的絕佳選擇。DG2725在3V下的典型導通電阻為0.7Ω,同時具有更低的寄生電容。

 

DG2599在1.65V~5V電壓下工作,可用作4路SPDT或雙路DPDT開關。器件採用minQFN16封裝,在3V下的典型導通電阻為2.8Ω,-3dB的頻寬高達186MHz。DG2725和DG2599具有掉電保護功能,在V+=0V,VCOM1或VCOM2=4.3V情況下,可以確保COM1和COM2的漏電流小於1µA。

 

新的DG2735A、DG2725和DG2599類比開關適合用在消費、計算和通信產品中,如手機、PMP和PDA等、數據機和外設、電腦、電子書,以及平板電腦等。這些器件相容1.65V邏輯電平,易於與低電壓的DSP或MCU控制邏輯介面,很適合直接用單節鋰離子電池供電的情況。

 

日前發佈的器件採用Vishay的亞微米CMOS低壓工藝技術,按照JESD78規範測試的閂鎖保護電流大於300mA。在導通時,開關在雙方向上能以同樣的性能傳輸小於電源軌的信號,在關斷時能夠阻斷電源級別的信號,並且保證採取先斷後通的切換操作。

 

Vishay Siliconix嚴格遵守對社區和環境的承諾,使用無鉛器件端接生產這些類比開關。器件的miniQFN封裝採用鎳鈀金器件端接(用尾碼“-E4”表示),滿足所有JEDEC標準對回流焊和MSL等級的要求。開關符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定,符合RoHS指令2002/95/EC。新類比開關現可提供樣品,並已實現量產。

 

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請流覽網站www.vishay.com