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ON 推出創新的溝道科技 具有業界效能最佳的導通電阻

 2003-04-10

ON 秉持其以創新科技供應高效能元件的承諾,宣佈推出了一項獨特的溝道處理科技,相較於市場上其他溝道處理產品,其平均可增進導通電阻效能達40%。

ON 在今年底前,計劃推出一個以此創新之溝道處理科技為基礎的完整P通道及N通道 MOSFET 產品線。而在本季中將推出的初始元件所針對的應用為負載管理、電路充電、電池防護、以及可攜式和無線產品中之dc-dc轉換等。專為電腦和自動化應用而設計之高效能元件將隨後推出。
    
ON 將改進的單元結構與溝道科技結合,成就了業界效能最佳的導通電阻特性,可直接轉換而延長電池壽命、更高的電源轉換特性、以及更高的熱效率。目前市場上以溝道科技為基礎的 MOSFET 產品選擇非常多,但 ON 切入市場的優異元件,是以最先進的處理科技為基礎。

領先群倫的科技

ON 獨特的溝道科技,實現了業界最高的通道密度,且在一定的封裝面積上提供了最佳的導通電阻效能。例如,ON可提供ChipFET封裝(1.8mm x 3.3mm)之8V、P通道和20V、P通道產品,其導通電阻分別為19m Ohms和21 mOhms。平均來說,這些導通電阻值在閘電壓為4.5V時,相較於市場上其他相同封裝面積的產品,所反映的是40%的增進效能。ON即將推出的Micro-8LL (3.3 mm x 3.3 mm) 、 TSOP-6 (3 mm x 3 mm) 和SC-88 (2.0 mm x 2.0 mm) 封裝之 MOSFET,也預期能增進同樣比例的效能。

三月起ON即將供應起初始的溝道MOSFET元件樣品。


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