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Philips推出新型BISS電晶體 具高性能低VCEsat特性 提升整體電路效率

 2003-05-22

Philips日前宣布,在創新的低VCEsat BISS電晶體產品系列中加入性能大幅提升的新成員,進而成為全球首家推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS電晶體的半導體廠商。

PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達2A,具有一流的性能;在功能增強的同時,與其他較著名的SOT23 封裝1A元件相比,更節省41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發射極(collector- emitter)電阻(RCEsat = 190 mW),由於產生的熱量較少,故可提升整體電路的效率。

SOT666 BISS電晶體非常適用於電源管理應用,其中包括DC/DC轉換、電源線開關,以及在手機、筆記型電腦等行動電子產品中的LCD背光等,而亞洲生產廠商是這類產品的領導者。最新的BISS電晶體還可驅動LED、繼電器和蜂鳴器,在特定的應用中是低成本的MOSFET替代方案。

最新SOT666封裝的低VCEsatBISS電晶體安裝在印刷電路板(PCB)上,只佔1.6mm x 1.6mm面積,它為設計業者所提供的性能,以前只能在尺寸更大的晶片封裝和中等功率如SOT89 / SOT223中獲得。

Philips半導體產品經理Kai Rottenberger表示:“Philips三十年前就創造出SOT23封裝技術,為半導體封裝設計定下標準。今日,我們繼續為此領域投入心力,致力研發更小的核心半導體晶片解決方案。推出SOT666 / SS-Mini封裝的BISS電晶體後,Philips再次鞏固其在封裝領域的領導地位,亦符合半導體技術追求小型解決方案的趨勢。”

以SOT666 / SS-Mini封裝的低VCEsat PhilipsBISS電晶體目前已進入量產階段。