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ON為高速SiGe數據和時脈管理元件推出更小巧耐用的QFN封裝

 2003-06-19

ON持續擴展其高速數據和時脈管理元件市場,近日宣佈其所有矽鍺(SiGe)Gigacomm(tm)家族現在都可提供更小巧的16接腳QFN(Quad Flat No-lead)封裝,不但節省電路板空間,且較之使用於工業層級溫度範圍中的其他封裝,還顯著的改善散熱效能。

Gigacomm(tm)系列元件採QFN封裝的溫度範圍為-40º C至 +85º C。其尺寸只有3mm x 3mm,比FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)封裝小44%。

  • QFN封裝
    採用QFN封裝的Gigacomm元件與採用FCBGA封裝的性能相同,但卻大幅節省電路板空間且改善散熱效能。QFN的接點溫度在每瓦功率消耗下只有55ºC。安森美半導體的數據和時脈管理Gigacomm(tm)系列元件結合了創新的設計、矽鍺處理科技、以及QFN封裝,頻率可高達12GHz的速度,足有餘裕。
  • Gigacomm"科技
    Gigacomm(tm)系列元件比起其他同樣以砷化鎵為基礎的競爭產品,具有無可匹敵的性能和極低的價格。ON首先推出之以矽鍺為基礎的速數據和時脈管理產品,其速度 高於10 GHz但價格很接近CMOS解決方案。此卓越的性能使得Gigacomm(tm)元件非常適合運用在迅速發展的企業網路、寬頻通訊、自動化測試設備和醫療影像市場等 。

    Gigacomm(tm)元件於某些速度高於12 GHz的情況時,功能非常廣泛。這些元件典型的上升和下降時間為40 ps,而抖動低達千萬億分之一秒(10的-15次方秒)的範圍。所有的Gigacomm(tm)元件都提供安森美半導體AnyLevel(tm)輸入科技,可接受負射極耦合邏輯(NECL)、正射極耦合邏輯(PECL)、電流模式邏輯(CML)、低電壓CMOS、低電壓電晶體電晶體邏輯(LVTTL)、或低電壓差動信號(LVDS)。
  • 系列元件
     NBSG11為一款2.5V或3.3V矽鍺差動時脈驅動器,可以將輸入的時鐘信號再製造兩個相等的輸出信號。 此輸出信號為減少擺動射極耦合邏輯(Reduced Swing Emitter Coupled Logic,RSECL)以減少電源消耗。
  • NBSG14為一款2.5 V 或 3.3 V矽鍺差動時脈驅動器,具有一1:4扇出及RSECL輸出。
  • BSG16 為一款2.5 V 或 3.3 V矽鍺差動接收器 / 驅動器,具有RSECL輸出。
  • NBSG16VS提供變動擺動輸出。此輸出信號的振幅是根據傳至一控制接腳的輸入而定,可由100 mV擴展至 750 mV,提供最大的設計彈性。
  • NBSG53A為一款2.5V或3.3V矽鍺元件,它扮演雙重角色,可做為可選擇的差動時脈及數據D正反器,以及可被1或2除盡的時脈除法器。其重設功能允許狀態改變,而輸出層次選擇科技(Output Level Select,OLS)可以5個增大的步驟,在100mV和800mV之間變更輸出。
  • NBSG86A為一款2.5V或3.3V矽鍺差動智慧閘,具有輸出層次選擇。其提供可程式彈性以選擇AND/NAND、OR/NOR、 XOR/XNOR 或2:1多工能力。且以極快的速度提供高效能應用所有主要的邏輯功能。

所有Gigacomm(tm)元件都已有評估和示範板;且所有元件也都具晶圓形式以提供設計彈性


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