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TI推出整合式開關元件和低壓降穩壓器 讓DDR記憶體的電源設計更簡單

 2004-07-08

德州儀器 (TI) 宣佈推出新的電源管理元件,把交換式直流轉換控制器和低壓降穩壓器整合至單顆晶片,為使用DDR和DDR II記憶體系統的設計人員帶來更強大的電源效能。對於DDR記憶體應用,例如美光的DDR和DDR II系統,這顆高整合度元件大幅減少電源管理的外部零件數目,最適合筆記型和桌上型電腦、繪圖卡和遊戲機等應用。詳細資訊,請至以下網站查詢:www.ti.com/sc04089

美光表示,終端設備製造商不斷發展新產品,它們既能支援更高密度的記憶體系統,又不會影響電池壽命。美光正和TI等多家領先業界的半導體廠商合作,他們有能力提供先進的電源管理類比技術,並使其結合適當的功能整合度、多用途和高效能等優點,迅速滿足新世代DDR記憶體系統不斷改變的電源需求。

TI新推出的TPS51116內建同步電流模式的直流轉換控制器,專門提供Vddq電源,它還包含3 A低壓降穩壓器,可用來提供Vtt電源以及緩衝式參考電壓Vref。新元件完全符合DDR以及DDR II JEDEC規格,只要搭配開關驅動電路 (power train),再加上七顆外接電阻和電容,就能組成完整的DDR電源解決方案;相形之下,今天的系統則需要18顆或是更多的電源管理零件。TPS51116在負載很小時仍能提供極高的效率,例如在10 mA電流時,Vddq的效率可以超過85%。這顆高效能的低壓降穩壓器只需一顆2x10 µF的陶瓷輸出電容,就能汲入和供應3 A的峰值電流。

TPS51116內部的開關採用D-CAP'模式的控制技術,它能提供100奈秒的負載步階暫態響應,同時減少外部的輸出電容數目;D-CAP模式也不需要外部迴路零件,但若設計要求更多強大的控制能力,TPS51116的迴路補償也能改變支援任何類型的輸出電容,包括陶瓷電容在內。新元件內建的低壓降穩壓器需要2x10 µF陶瓷輸出電容,它還能藉由減少輸入電壓以大幅降低系統功耗。TPS51116也能支援多種不同設計,Vddq電壓可以調整或固定不變,DDR為2.5 V,DDR II則為1.8 V。

睡眠狀態加快產品上市時間和提升記憶體可靠性
除了高效能之外,TPS51116還能管理睡眠狀態的控制功能,幫助改善DDR記憶體系統的可靠性;這項整合功能可以加快新產品上市時間,因為設計人員可直接利用元件內部的控制功能,不需另行設計外部控制電路。此外,TPS51116還能確保Vtt低於Vddq,這能進一步提升DDR記憶體的可靠性。

TPS51116的重要技術規格:
' 寬廣的輸入電壓範圍:3 V至28 V
' D-CAP模式提供100奈秒的負載步階響應
' ±20 mV的Vtt和Vref精準度
' 睡眠模式和可選擇的軟關機 (Soft-off) 功能,可用來支援輸出放電
' Vtt只需要2x10 µF陶瓷輸出電容
' 過熱關機、電源良好指示、過電壓保護、電壓不足保護
' 符合DDR及DDR II JEDEC規格

新型3 A終端穩壓器適合空間有限的系統
除了高整合度的TPS51116之外,TI還推出具備3 A汲入�供應電流追蹤能力的終端穩壓器 (termination regulator),這顆元件採用10隻接腳的MSOP封裝,專門支援空間有限的低成本DDR和DDR II系統。TPS51100的許多功能都和TPS51116內建的低壓降穩壓器相同,包括2x10 µF陶瓷輸出電容以及遠端感測功能。這顆3 A終端穩壓器還能減少它的輸入電壓,使系統總功耗降低。詳細資訊,請至以下網站查詢:www.ti.com/sc04089a

今天開始供應
TI和授權經銷商已量產供應TPS51116,這顆DDR電源元件採用20隻接腳PowerPADTM HTSSOP封裝,1,000採購量的建議零售單價為1.20美元。TPS51100低成本DDR電源元件也自即日起開始供應,1,000採購數量的單價為0.80美元,TI還透過power.ti.com網站提供評估模組、應用說明以及最新的VIP電源管理元件選擇工具。另外還有筆記型電腦的SineOn'類比產品目錄,包含TI電源管理、連結、音訊功率放大器、數位等化器、數位視訊和邏輯產品的完整清單,廠商可到以下網站下載這份文件:www.ti.com/sc/sineon