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ON Semi 和 Transphorm 推出用于 紧密型电源及配接器的600 V GaN 晶体管

 2015-04-08

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN),和功率转换器专家Transphorm,先前宣布双方建立了合作关系,将基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场,日前宣布推出联名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共栅(cascade)晶体管和使用这些装置的240 W参考设计。

 

安森美半导体电源分离分部副总裁兼总经理Paul Leonard说:「GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能上的飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势,基于GaN的产品需求将快速增长。安森美半导体和Transphorm正着手于新的发展第一线,并加速市场的广泛采纳。」

 

两款新品NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS),导通阻抗典型值为150 mΩ和290 mΩ,采用优化的TO-220封装,客户可依据现有的制板能力而整合。两款600 V产品均已使用JEDEC标准认证并量产。

 

NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)评估板为客户提供完整的参考设计,以实现及评估他们电源设计中的GaN共源共栅晶体管。该评估板为客户提供比使用传统装置的电源更小的占位面积及更高效能。升压段提供98%的效能并采用NCP1654功率因子校正控制器。 LLC DC-DC段使用NCP1397谐振模式控制器提供97%的满载能效。这性能在以200+ 千赫兹(kHz)运行时达到,并且显然也能满足EN55022的B类电磁兼容(EMC)性能。完整的文档请参考安森美半导体网站。

 

莅临安森美半导体在2015 APEC的407展台(Transphorm – 1317展台)观看关于GaN器件以及新的电流模式LLC电源和汽车电机驱动器的展示。