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Vishay 发布首颗采用E系列超极结技术的500V高压MOSFET

 2014-11-12

新器件具有E系列600V650V MOSFET的相同优点,具有高效率和高功率密度

 

Vishay 推出新的500V家族里首款MOSFET,具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。

 

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超级结技术,为采用高性能平面技术的Vishay现有500V D系列器件补充了高效率产品。这些25A器件的导通电阻为145mΩ ,提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和细引线的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多种封装选项,这些低外形封装适用于薄型消费类产品。

 

新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷,栅极电荷与到导通电阻乘积也较低,该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。与Vishay的600V和650V E系列器件类似,500V技术具有低导通电阻和优化的开关速度,能够提高功率因子校正(PFC)、双开关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度,器件符合RoHS,可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲,保证极限值通过100% UIS测试。

 

 

 WPI_Vishay_500V E