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Intel 3D NAND技术的DC P3520固态硬盘

 2016-01-21

日前,Intel、美光联合宣布全新的 “3D NAND” 技术。平面结构的NAND闪存的发展已接近其物理极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。由英特尔与镁光联合开发而成的新的3D NAND技术,垂直堆叠了多层数据存储单元。基于该技术,可制造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

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INTEL首款采用3D NAND技术的SSD DC P3520系列将于2016年Q1上市,从下表中可以看到DC P3520系列最小的为1T,还有1.2TB,2TB,3.2TB可供选择。

WPI-INTEL-SSD-DC-P3520-FEATURE

 

封装有AIC和2.5” U.2两种接口,两种接口都支持PCIe 3.0 x4连接。DC P3520提供450000 随机读取IOPS(每秒进行读写操作的次数)和44000写入IOPS。和P3700相比,随机读取IOPS相当,随机写入IOPS有较大差距,这是因为P3520系列定位的使用寿命耐用性为0.35 DWPD,但还是完胜DC P3600和DC P3500系列。

 

新的DC P3520系列SSD功耗和当前的P3X00系列一样,但因为3D NAND的低功耗特性,使之具有更好的性能表现。首款产品具有10-17  的UBER和2百万小时的MTBF。

 

产品特性如下:

  • 大容量 — 存储容量可达到现有3D技术的三倍,P3520存储容量最高3.2G。
  • GB闪存成本更低 —3D NAND具有比平面结构的NAND更高的成本效益。
  • 快速 — 更高的读/写带宽、I/O速度和随机读写性能。
  • 绿色 — 全新睡眠模式支持低功耗使用,允许切断不活跃NAND的芯片的电源(即使同一封装内其他芯片处于活跃状态也不受影响),从而显著降低待机模式下的功耗。
  • 智能 — 相比之前产品,系列创新特性改进了延迟问题和提高了耐用性,同时进一步简化了系统集成工作。

 

创新的3D NAND技术使得DC P3520系列SSD能够应用于最快速的数据中心,帮助企业用户改善实时数据分析的应用,也可以帮助消费级笔记本获得系统级别的加速。”

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