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Fairchild推出全新高效N通道MOSFET系列
提供高达8kV ESD(HBM)的电压保护

 2007-09-05

快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N通道MOSFET系列,提供高达8kV ESD (HBM) 的电压保护,较市场现有元件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记簿型计算机和手机) 的最新架构。利用快捷半导体的Power Trench® 制程,这些低导通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON) 低于5mOhm的FDS8812NZ) 能够降低传导损耗及延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下依然保持系统的安全性。

FDS881XNZ系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm) 针对高阶笔记簿型计算机应用,协助设计工程师解决将高阶功能整合到笔记簿型计算机中所面临的散热难题。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm) 非常适合于带有15” 以上显示器的一体化笔记簿型计算机,而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm) 则通用于中低阶产品和小型笔记簿型计算机。

FDS881XNZ系列的主要优点包括:

  • 低导通阻抗RDS(ON) 解决方案,能提高工作效率及延长电池使用寿命。
  • 集成式ESD保护二极管 (HBM) 提供8kV ESD保护功能。
  • 坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,可耐受意外的电压尖峰冲击,避免输出端出现突发电压。

FDS881XNZ系列N通道MOSFET系列采用业界标准SO8封装,是快捷半导体广泛的电池用MOSFET产品系列的又一重要成员。

FDS881x 系列采用无铅 (Pb-free) 接脚,潮湿敏感度符合 IPC/JEDEC 标准 J-STD-020 对无铅回流焊的要求,所有快捷半导体产品均设计符合欧盟的有害物质限用指令 (RoHS)。

  

元件编号

封装形式

类型

最大导通阻抗

HBM(V)

VDS(V)

@10V

@4.5V

FDS8812NZ

SO-8

N-channel

4

4.9

6400

30

FDS8813NZ

SO-8

N-channel

4.5

6

5400

30

FDS8817NZ

SO-8

N-channel

7

10

3600

30