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Winbond将于台北国际电子展览会展出两大系列行动存储器产品-低功率耗动态存储器及虚拟静态存储器

 2008-10-08

华邦电子即将参加 2008台北国际电子展览会(十月七日至十一日,台北世贸南港展览馆),届时也将展出华邦两大系列行动存储器产品-低功率耗动态存储器及虚拟静态存储器。

低功率耗动态存储器 Mobile SDR/DDR SDRAM
512Mb W949D6BZX/ W949D2BZX/ W989D2BZX, 1Gb W94AD2BZX

手持消费性电子产品的功能日异月新,新的功能陆续的推出,如 高画素照相手机、3G智能型手机、3D数码导航PND、电子书、数码电视 …等,加上欧盟 EuP指令的要求,使得电子产品中的低功耗存储器 RAM Buffer需要量大增。为因应大量低功耗存储器需要,华邦推出符合JEDEC标准 Mobile DRAM规格之产品,产品涵盖 512 Mb ~ 1Gb。

W949D2B和W949D6B的存储器容量为 512Mb,W94AD2B的容量为1Gb,主要的产品规格为:DDRx32/x16两种资料传输频宽,工作电压 1.8V;提供的低功耗功能有Partial Array Self Refresh (PASR),Auto Temperature Compensated Refresh (ATCSR),Deep Power Down Mode。适合多种应用产品如掌上型数码电视播放机、可携式导航设备(PND)、智能型手机/PDA、无线网络摄影机(IP-cam)、MP3/MP4音乐播放机、电子书、掌上型游戏机,Wimax 设备、消费性电子等,目前已经成功导入全球各大ARM-9、ARM-11..平台 。

虚拟静态存储器 PSRAM
32Mb W965A6F/ 64Mb W966A6C, 128Mb W967D6D/W957D6D, 256Mb W968D6B

Pseudo SRAM采取传统DRAM为核心;界面则设计与传统SRAM兼容的架构。另外Pseudo SRAM设计了一个on-chip refresh circuit来解决DRAM cell之Refresh,以增加读取速度并降低使用者在设计上的困扰。产品完整含盖16Mb ~ 256Mb;本次所展出之256Mb PSRAM为现今市场上容量最大之PSRAM之 一 (符合CellularRAM 2.0G之标准);除领先同业之外,与主要系统供应商建立更进一步的合作关系。