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意法半导体(ST)的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身订制

 2015-11-04

ST的沟槽式低压MOSFET STripFET™ F7系列将扩增60V的产品线,可协助电信、服务器和桌面计算机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的DC/DC 电源转换器达到严苛的能效标准、最大幅度地提升电源功率密度。

 

STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了导通能效与开关性能,还简化了信道间的沟槽式结构(trench-gate structure),实现极低的导通电阻、电容与门极电荷,并取得优异的质量因子(RDS(ON) x Qg)。此外,本质二极管的恢复电荷(recovery charge)非常低,有助于提升开关性能。高抗雪崩特性及耐用性确保了在恶劣条件下的稳健性能,反向传输电容对输入电容(Crss/Ciss)的比值低,有助于强化抗电磁干扰(EMI immunity)。

 

意法半导体的60V STripFET F7 MOSFET是为同步整流(synchronous rectification)电路所订制,能以更少的平行组件达成最大目标电流,藉此提高功率密度、降低组件使用数量。该系列共有12款产品,涵盖了所有工业标准电源,最大输出电流从90A到260A (在Tc = 25°C下,硅限制连续汲极电流)。新产品提供多个封装选择,包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、2针脚或6针脚H2PAK。

 

所有产品均已量产(包括采用PowerFLAT 5x6 封装的90A STL90N6F7),欲了解详情,请浏览:www.st.com/stripfetf7