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Fairchild 新推出扩展温度中电压 MOSFET(额定 175oC)以实现卓越的功率密度

 2015-04-08

19 种新 MOSFET(介于 30V 150V-Bvdss 范围内)可将功率密度提高 85%,其可靠性更是超出行业标准 MOSFET(额定 150°C)三倍之多

 

领先全球的高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild(快捷半导体)(NASDAQ 代号: FCS)推出扩展温度 (ET:Extended Temperature)) 中电压 MOSFET(作业温度 175°C),制造商借此可改进其产品的可靠性与性能。 较高的作业温度可将功率密度提高 85%,其可靠性更是超出行业标准 MOSFET(额定 150°C)三倍之多。

 

ET MOSFET 新产品系列符合 IPC-9592 功率转换标准,这就意味着最高接面温度可达 150°C,而一般标准 150°C MOSFET 的最高接面温度则为 125°C,以确保更多的设计余量。 此系列包含 19 种新装置,提供 5 mm x 6 mm 和 3 mm x 3 mm 标准封装,以及全新的 TO-Leadless (TO-LL) 封装。 这些装置有多种额定电压可选,包括 30V、40V、60V、80V、100V、120V 和 150V。

 

他们将卓越的耐热性、较高的功率密度和改良的可靠性完美结合,使得 Fairchild 的 ET MOSFET 产品系列成为各种应用中 DC-to-DC 电源、AC-to-DC 电源及马达装置的理想之选,包括航空电子装置、微型太阳能逆变器、电动工具与电信等应用。

 

Fairchild iFET 产品线副总裁 Suman Narayan 指出︰「作为 Fairchild ET MOSFET 综合产品线的最新产品,此系列为设计工程师提供更多的『余量』,进行可以或必须应对高温的产品设计,而无需依赖散热器或其他会增加产品成本和复杂性的散热方法。 这些新装置继续延续 Fairchild 传统为设计工程师提供比竞争产品具有更多设计余量的解决方案。」

 

这些新 ET MOSFET 能够在 175°C 作业,尤其适用于必须在高环境温度下作业的产品,如太阳能与以太网络供电 (POE) 应用。 此外,这些装置大幅提高的可靠性对在恶劣环境下使用的产品来说也是一个优势,包括航空电子装置、铁路与电动工具应用。

 

其核心优势在于,在很小的封装内实现扩展的温度范围与较高的功率密度,可确保制造商的产品设计具有更多的灵活性。 这样,设计师便可减小其产品的尺寸 —— 并保持相同的功率输出 —— 或增加功率输出而无需增加大小。

 

如需了解详情并订购装置,请造访︰https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR-ET_MOSFET-2_MOSFET_Resource_Page.html