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Infineon 推出OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族,其能效高达95%以上,可为稳压器解决方案提供最高功率密度

 2015-04-08

英飞凌科技股份公司推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时,英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集成式功率模组DrMOS 5x5。加上驱动器和数字控制器产品,英飞凌为服务器、电脑、数据通信和电信设备等提供了完备的系统解决方案。

在云计算、物联网和社交媒体等大趋势的推动下,现代社会对数据处理能力的需求与日俱增。伴随而来的,是能耗大幅增加,这继而要求提高功率转换系统的能效。新近推出的OptiMOS 25V和30V产品重新定义了业内解决方案的性能标杆,在整个负载范围内,其能效比上一代产品提高了1%左右,在典型的服务器电源设计中,其峰值效率高达95%以上。这样的性能提升得益于诸多因素,如开关损耗(Q switch)比上一代的OptiMOS技术降低了50%。举例来说,对于一颗全年不间断工作的130W服务器CPU而言,采用新的OptiMOS 25V,可节约用电26.3度。按一个大型机房平均拥有5万台服务器计算,每年总共可以节约用电两百六十万度。

全新封装技术在发布OptiMOS 25V和30V产品家族的同时,英飞凌还推出了能进一步节省板上空间的全新封装技术。Power Block产品家族和集成式功率模组DrMOS 5x5均采用了这种新型封装技术,它的低边MOSFET采用了源极朝下的焊接方式(跟传统相反),可极大改善散热性能,对比SuperSO8等标准封装,热阻降低了50%。

英飞凌Power Block是一种无引线SMD封装,它将同步直流/直流转换器的低边和高边MOSFET集成到一个外形尺寸仅为5.0x6.0平方毫米的封装中。有了Power Block,客户可以用一个器件替换两个标准封装的分立器件,如SuperSO8或SO-8。从而能够将电源设计的尺寸缩小高达85%。小巧的封装外形和高低边MOSFET在封装内的优化互连,可最大限度地降低环路电感,从而实现最优的系统性能。

集成式功率模组DrMOS 5x5也使用了OptiMOS 5 25V,它集成了、驱动器和两颗MOSFET,总占板空间仅为25平方毫米。这种集成的解决方案,可大大缩短客户的产品设计周期。。此外,这种高度集成的功率模组具备+/-5°C的高精度温度检测(相比之下,外接器件的温度检测精确度为+/-10°C),这有助于进一步提高系统可靠性和性能。

提供完备的系统解决方案

英飞凌科技电源管理及多元化市场事业部副总裁兼总经理Richard Kuncic表示,“得益于大幅降低的开关损耗,OptiMOS 5产品允许工程师提高其设计的开关频率,降低能耗,节省系统成本。加上我们的数字控制IC和驱动器产品,我们为直流/直流稳压电源设计提供了各式各样完善的解决方案,其中,DrMOS 5x5和Power Block是设计师首选的标准封装尺寸的最高能效产品。”


样品及供货情况

现在已可提供采用SuperSO8、S3O8和Power Block封装、通态电阻从0.9mΩ到3.3mΩ的全新OptiMOS 25V和30V样品。集成类肖特基二极管的产品以及更多的30 V产品,将从2015年第二季度之后开始提供样品。DrMOS 5x5将于2015年第二季度发布。更多信息请访问 www.infineon.com/optimos5-25V30Vwww.infineon.com/powerblockwww.infineon.com/drmos.