新闻中心

意法半导体(ST)的新650V超接面MOSFET提升照明能效和安全系数

 2015-02-04

ST最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项。

 

MDmesh M2系列产品拥有最新、最先进的超接面技术,具有比上一代产品更低的导通电阻(RDS(ON)),以及更低的闸极电荷(QGD)和输入/输出电容(Ciss/Coss)。此外,这些产品更进一步降低了能源消耗和热散逸(heat dissipation),让开发人员能够更快地设计出更高效的产品。

 

同时,与市场现有的600V典型产品相比,意法半导体的新产品将崩溃电压提高至650V,确保新产品具有更高的安全系数,让设备厂商能够设计更稳固且更可靠的系统。

 

新系列产品还增加了一款采用表面黏着封装的PowerFLAT 5x6 HV高电压产品,虽然封装面积和厚度都很小,但却拥有极佳的热性能和电流处理能力。预计于2015年第一季投入量产的PowerFLAT 5x6 HV 产品可大幅提高功率密度,协助设备厂商研发尺寸更小的下一代产品,而在实现高输出功率的同时,不会影响工作可靠性。

 

MDmesh M2 MOSFET的目标应用包括笔记本电脑、打印机和游戏机等设备的外接电源,以及电视机和音响系统的内部电源。3W-25W单管LED灯引擎以及大功率多管LED灯引擎驱动器也将受益于新产品的热效率与热性能。PowerFLAT 5x6 HV封装是太阳能微逆变器的理想选择,为尺寸精巧的家用和商用逆变器模块带来MDmesh M2产品的能效优势。

 

22 MDmesh M2 650V MOSFET现已上市,最大额定电流范围为4A至11A,最低导通电阻RDS(ON)降至0.360Ω。STD6N65M2采用D2PAK封装。

 

欲了解更多讯息,请浏览www.st.com/mdmeshm2。