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意法半导体(ST)先进的1200V IGBT,可提升太阳能逆变器耐用性和能效

 2014-12-10


意法半导体最新的1200V绝缘闸极双极性晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)藉助第二代沟槽式场截止(trench-gate field-stop)高速技术提升太阳能逆变器、焊机(welder)、不间断电源和功率因子校正(PFC,Power-Factor Correction)转换器的耐用性和能效。

 

意法半导体的新H系列1200V IGBT降低多达15%的关机损耗和导通损耗。饱和电压(Vce(sat))减少至2.1V (在标准集极电流和100°C下的典型值),这能确保总体损耗降至最低,在20kHz开关频率下更高效地工作。

 

此外,新款1200V IGBT提供整合高速恢复反平行二极管的选项,以协助开发人员优化硬开关(hard-switching)电路的性能,使用飞轮二极管(freewheel diode)大幅降低开关电路的能源损耗。

 

新款IGBT拥有极强的耐用性,当实际电流是标准电流的四倍时无锁定(latch-up-free)效应,及仅5µs的短路时间(在150°C 初始结温时)。最大工作结温扩大到175°C,有助于延长产品的使用寿命,简单化系统散热设计。宽安全工作范围(SOA,Safe Operating Area)则有效提升大功率应用的工作可靠性。

 

优异的防电磁干扰(EMI,electromagnetic interference)是新产品的另一大优势,这归功于新系列产品在开关过程中取得近乎理想的波形,令竞争产品望尘莫及。Vce(sat)的正温度系数,结合组件之间参数分布紧密,使其在大功率应用中能更安全的平行工作。

 

意法半导体的H系列IGBT现已量产,采用TO-247封装,共有15A、25A和40A三个型号。

 

更多详情请至www.st.com/igbt