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Infineon 推出第 5 代 1200V thinQ!™ SiC Schottky 二极管, 提升单相及三相应用的效率及可靠度

 2014-08-06

英飞凌科技股份有限公司 推出第 5 代 1200V thinQ!™ SiC Schottky 二极管,扩展全方位的 SiC 产品组合。全新的 1200V SiC 二极管具有即使在操作温度下,也有超低的正向电压、提高 100% 以上的突波电流能力,以及绝佳的散热特性。这些特色能显著提高太阳能逆变器、不断电系统 (UPS)、三相切换模式电源供应器(SMPS) 及马达驱动器的效率及耐用操作。

「第 5 代」SiC 二极管使用全新的精简型芯片设计,这是透过将 pn 接面的工程设计合并在 Schottky 电池场中达成。这使得每个芯片面积有更小的微分电阻,因此让二极管的损耗较前一代降低高达30%;例如 20 kHz切换频率,满载操作的三相太阳能逆变器之前端升压级。

在接面温度 150°C 下,典型的正向电压仅有 1.7V,比前一代还要少 30%。这也是 1200V SiC 二极管市场中现有最低的正向电压。因此,此款全新的 SiC 二极管特别适用于以相对高负载 (如 UPS 系统) 操作的应用上。此外,即使在低切换频率下,也能提升系统效率。

依据二极管的额定电流值,现在突波电流的能力提升至额定电流的 14 倍,足以确保在突波电流的应用上,二极管仍能持久耐用操作。旁路二极管可以省略不用,从而降低复杂性与系统成本。

英飞凌 IGBT 及 SiC 功率分离式组件营销协理 Roland Stele 表示:「全新第 5 代 SiC 二极管展现了英飞凌的目标,提供能协助客户从他们的设计中得到最高效率的产品。二极管损耗减少、范围更广的切换频率,同时因提升的突波电流能力,而使可靠性更好。英飞凌最新一代的 SiC Schottky 二极管在充分发挥深具前景的 SiC材料潜力上,向前迈进了一大步。」

应用全新的 1200V thinQ!SiC Schottky 二极管搭配英飞凌同级最佳的 1200V Highspeed3 IGBT 在升压及功率因子校正 (PFC) 升压拓朴结构上,带来系统层级的显著效益。不仅二极管损耗降低,同时也因导通损耗减低 (导致更小的散热片或提高效率)、以及相较于使用传统 Si 二极管的解决方案有更低的 EMI (更小且具成本效益的 EMI 滤波器),Highspeed3 IGBT 在效能上获得改善。

上市时间
完整的第 5 代 SiC 二极管产品组合包括 TO-247、TO-220 及 DPAK 套件。除了是 TO-247 封装同级中最佳的全新 40A 二极管以外,其共阴极的双配置能更进一步为提供的交错拓朴结构节省空间。TO-247 封装样品,将于 2014 年 7 月开始量产。其他的封装版本将于 2015 年推出。有关第 5 代 1200V thinQ!™ SiC Schottky 二极管的详细信息,请浏览 www.infineon.com/sicdiodes1200V

關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg),提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2013计年度(截至9月底)营收为38.4亿欧元,全球员工约为26,700名。