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AOS 发布业界最低内阻 适用通信及工业电源的150V MOSFET旗舰产品: AON6250

 2013-05-22

DFN5*6封装极低导通内阻,超强开关性能实现更高功率密度

日前,集设计,研发一体的著名功率半导体及芯片供货商万国半导体(AOS, 纳斯达克代码: AOSL)今天发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品,为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步整流,太阳能微逆变器,以及通信系统中的负载点模块(POL)。

 

采用先进的AlphaMOS™技术,AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比,内阻降低了57%;与市场上现有最先进的同类型150V器件相比,内阻降低了8% ,除此之外, AON6250的优值(RDS(ON)* COSS)也是市场上最好的,从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装,符合绿色环保产品相关规定,且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后,万国半导体(AOS)将发布一系列150V MOSFET产品。.

 

 “终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间,这让电源设计工程们面临严峻考验” , AOS高级产品经理Stephen Chang表示, “实现其功率密度,需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能,AON6250正好可以满足工程师的需求。.”

 

 

AON6250 技术优势:

  • 150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package
  • RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (业内最低内阻)
  • COSS = 213 pF typ
  • Qg (10V) = 30.5 nC typ
  • 业内最低 RDS(ON) * COSS  (优值, 可以有效降低开关损耗)
  • 100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试

 

 

关于万国半导体(AOS:

Alpha and Omega Semiconductor (AOS)为集设计、开发与销售为一体的功率半导体供货商,AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的功率MOSFET和电源管理IC(Power IC)产品系列。AOS在器件物理,工艺技术,电路设计及封装设计上拥有丰富的经验。通过将这些经验整合用于产品性能以及成本控制的优化,AOS在竞争中显示出自身的特色。AOS的产品线设计的目标是满足日益增长的高产量,高效能产品的应用需求,包括手提电脑、平板电视、电池、智能手机、便携式媒体播放器、UPS、电机控制和电力供应等。想要了解更多的产品信息,请进AOS网站http://www.aosmd.com

 

 

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本新闻稿包含前瞻性声明。这些前瞻性声明仅代表公司目前的预期、估计、假设和预测。这些声明是基于公司或管理层就当前产品发展趋的判断和预测。前瞻性声明包括我们目前对新产品的效能及市场开发潜力的观点。这些声明中包含各类风险和不确定性因素,可能导致实际结果与此前瞻性声明中明示或默示的结果大相径庭。这些因素包括但不限于产品实际量产能力、产品的质量和性能、我们执行战略方案的设计能力、总体的商业和经济环境、半导体行业的现状和其他在公司年报中及其他定期向美国证券交易委员会提交的报告中所详细说明的其他因素。尽管我们认为在这些前瞻性声明中所做的预期是合理的,但却无法保证该预期最终一定与事实、执行力和成果相符。本新闻稿仅于发布当日有效。除适用的法律要求外,我们概不承担任何更新本文信息的义务,请读者勿过于倚赖本声明。

 

 

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