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Bridgelux与Toshiba共同开发氮化镓上矽芯片

 2012-06-20

LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux公司,以及全球领导半导体制造商Toshiba公司,共同宣布成功开发出业界最高水平的8吋氮化镓上矽(GaN on Silicon)LED芯片,Toshiba 亦对Bridgelux 进行股权投资。

 

这项新技术是采用350mA电流,电压小于3.1V,仅1.1mm大小的LED芯片,亮度可达614mW。Bridgelux与Toshiba在今年数月前才刚签署一项共同合作协议,接下来双方将进一步加快开发LED芯片的脚步,以因应全球对LCD面板和照明系统日渐增加的需求。

 

Toshiba亦对Bridgelux进行股权投资,以期共同追求固态照明领域的技术创新;这项投资将进一步促进两家公司于固态照明领域的发展,并以Toshiba先进的硅加工和制造技术开发能力为基础,加速推动Bridgelux氮化镓上矽LED芯片技术的研究与开发。

 

Bridgelux执行长Bill Watkins表示:「Toshiba与Bridgelux长期携手开发技术,而股权投资将使两家公司形成更密切的策略关系,以达到促进降低照明市场中固态照明解决方案成本的共同目标。」

 

Toshiba副总裁暨半导体与储存装置产品执行副总裁MakotoHideshima表示:「我们很高兴能与Bridgelux共同进行开发活动,达到业界最佳效能的8吋氮化镓上矽LED产品。我们将持续追求最先进的技术,目标将技术进一步商品化。」