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Infineon成功生产采用新型300 毫米薄晶圆技术之功率半导体芯片

 2011-11-02

英飞凌科技已于奥地利菲拉赫(Villach) 据点生产出首款300 毫米薄晶圆之功率半导体芯片(first silicon),成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300 毫米薄晶圆生产之芯片的功能特性,与以200 毫米晶圆制造之功率半导体相同,已成功通过在高压应用产品中使用金氧半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET) 的应用测试证明。

英飞凌董事会成员,负责运筹、研发及劳方主管Reinhard  Ploss 博士表示:「英飞凌工程师的成就,代表生产技术的大跃进。创新奠定了获利成长的基础,也确保我们的竞争优势。」

2010 年10 月,英飞凌已在奥地利菲拉赫着手设立300 毫米晶圆及薄晶圆技术的功率半导体前导生产线。目前该团队拥有50 名工程师和物理学家,来自研究、开发、制造技术及市场营销等各个领域。

英飞凌拥有众多非凡成就,而首颗300 毫米下线芯片,是英飞凌持续成功制造节能产品专用之功率半导体的推手。根据IMS Research* 于今年8 月提出的研究报告,英飞凌在2010 年仍位居全球功率半导体市场龙头,并已连续第8 年获此殊荣。

在晶体管发明55 年之后,英飞凌以革命性的CoolMOS™晶体管技术,荣获2002 年德国工业创新大奖(German Industry’s Innovation Award)。高压晶体管,已在众多应用领域提升能源效率,如PC 电源供应器、服务器、太阳能电源转换器、照明与电信系统。这些节能芯片目前也是消费性电子装置的必要组件,如平面电视和游乐器。使用能源、节约能源且不失效率,已成为所有用电产业与家庭应用的首要需求。英飞凌的节能半导体解决方案,可节省高达25% 的全球电力消耗。

英飞凌今年7 月底宣布,将德勒斯登(Dresden) 设立为Power 300 技术的高量产据点,作为其投资计划之一。从计划开始执行到2014 年,英飞凌科技德勒斯登公司(Infineon Technologies Dresden GmbH) 将投资约2.5 亿欧元,并为德勒斯登创造近250 个工作机会。

* 数据源:IMS Research 研究报告:「全球分离式及模块功率半导体市场(The World Market for Power Semiconductor Discretes & Modules)」,2011 年8 月发表。更多详情敬请浏览:www.imsresearch.com

关于英飞凌
英飞凌(Infineon Technologies AG)总部位于德国纽必堡(Neubiberg),提供各式半导体和系统方案,以因应现今社会的三大挑战,包括能源效率(energy efficiency)、移动性(mobility)与安全性(security)。2010会计年度(截至9月底)营收为32.95亿欧元,全球员工约为26,650名。英飞凌的据点遍布全球各地,包括美国加州苗必达市(Milpitas)、亚太地区的新加坡和日本东京都设有分公司。