MOSFETs

東芝提供了電源應用多樣化的半導體元件，從低功率到高功率，以滿足廣泛的客戶需求的變化。這些產品有助於節約能源和提高能源效率。

    U-MOS VIII-H / U-MOS IX-H是專門設計在二次側的AC-DC電源，用於筆記本電腦充電器、遊戲機、服務器、台式電腦、平板顯示器等…以及高效率的MOSFET系列通信設備、伺服器和數據中心的DC-DC電源供應器；最新的U-MOS IX-H工藝製造，將有助於提高電源的效率。

 

    U型MOSⅧ-H系列提供了業界最廣泛的低導通電阻MOSFET, 在導通電阻和電容之間最好的應用產品, 由於其快速導通特性，在U-MOSⅧ-H系列有助於降低開關損耗，從而能夠提高電源效率。 U型MOSⅧ-H系列有V_DSS30至250伏特的在各種包裝，包括最先進的封裝，雙面冷卻功能。

 

    U型MOSⅨ-H系列是專為同步整流應用，包括隔離開關電源的二次側設計。它提供了一種改進的Qoss的性能，同步整流的功率損耗的原因之一。 U型MOSⅨ-H其他半導體廠商系列提供低27％ 的Ron•Qoss，導通電阻（RON）和QOSS之間的權衡的特點。由於Ron對Q_OSS一個顯著的影響，東芝將擴大具有超低Ron 的U-MOSⅨ-H系列的陣容組合。

 

    東芝已研發最新的產品規格及包裝，以減少導通電阻的MOSFET。東芝提供包用雙面冷卻能力，其具有雙側的散熱片。這個包提供了0.93°C / W的超低熱阻（RTH _H-C），從而簡化了散熱設計。

 

• 雙面散熱特性
• 相同的尺寸空間, PCB,無須重新設計

 

 

在U-MOSⅧ-H和U-MOSⅨ-H系列可被R_DS中的更寬範圍的ON和V_DSS的比較，從而滿足各種應用的要求。

 

 

   

VDSS (V)	RDS(ON) (mΩ)	TSON Advance	SOP Advance	DSOP Advance	TO-220	TO-220SIS	DPAK+
30	10 - 20	TPN11003NL	TPH11003NL
	5 - 10	TPN8R903NL TPN6R003NL	TPH8R903NL TPH6R003NL
	3 - 5	TPN5R203PL TPN4R303NL	TPH4R003NL TPH3R203NL
	1 - 3	TPN2R703NL TPN1R603PL	TPH3R003PL S1JN3 TPH2R003PL TPH1R403NL
	< 1		TPHR9203PL TPHR9003NL TPHR6503PL	TPWR8503NL TPWR6003PL
40	10 - 20						TK15S04N1L
	5 - 10	TPN7R504PL	TPH7R204PL TPH6R004PL
	3 - 5	TPN3R704PL	TPH3R704PC TPH3R704PL		TK3R1E04PL	TK3R1A04PL	TK65S04N1L
	1 - 3	TPN2R304PL	TPH2R104PL TPH1R204PL				TK100S04N1L
	< 1		TPHR8504PL	TPWR8004PL
45	1 - 3	TPN2R805PL	TPH2R805PL TPH1R405PL TPH1R005PL
	< 1			S1LC7
60	20 - 50	TPN22006NH
	10 - 20	TPN14006NH TPN11006NL TPN11006PL	TPH14006NH TPH11006NL		TK30E06N1 TK40E06N1	TK30A06N1 TK40A06N1	TK25S06N1S
	5 - 10	TPN7R506NH TPN7R006PL	TPH9R506PL TPH7R506NH TPH6R306PL TPH5R906NH		TK8R2E06PL TK58E06N1	TK8R2A06PL TK58A06N1
	3 - 5	TPN4R806PL	TPH4R606NH TPH3R506PL		TK4R3E06PL	TK4R3A06PL	TK90S06N1S
	1 - 3		TPH2R306NH TPH2R306PL TPH1R306PL	TPW1R306PL	TK100E06N1	TK100A06N1
75	1 - 3		TPH2R608NH	TPW2R608NH
80	30 - 50	TPN30008NH
	10 - 20	TPN13008NH	TPH12008NH		TK35E08N1	TK35A08N1
	5 - 10		TPH8R008NH		TK46E08N1	TK46A08N1
	3 - 5		TPH4R008NH	TPW4R008NH	TK72E08N1 TK100E08N1	TK72A08N1 TK100A08N1
100	30 - 50	TPN3300ANH
	10 - 20	TPN1600ANH	TPH1400ANH		TK22E10N1	TK22A10N1
	5 - 10		TPH8R80ANH		TK34E10N1 TK40E10N1	TK34A10N1 TK40A10N1	TK33S10N1H TK55S10N1
	3 - 5		TPH4R50ANH	TPW4R50ANH	TK65E10N1 TK100E10N1	TK65A10N1 TK100A10N1
120	10 - 20				TK32E12N1	TK32A12N1
	5 - 10				TK42E12N1 TK56E12N1	TK42A12N1 TK56E12N1
	3 - 5				TK72E12N1	TK72A12N1
150	50 - 100	TPN5900CNH	TPH5900CNH
	20 - 50		TPH3300CNH
	10 - 20		TPH1500CNH	TPW1500CNH
200	100 - 200	TPN1110ENH	TPH1110ENH
	50 - 100		TPH6400ENH
	20 - 50		TPH2900ENH	TPW2900ENH
250	200 - 300	TPN2010FNH	TPH2010FNH
	100 - 200		TPH1110FNH
	50 - 100		TPH5200FNH	TPW5200FNH

 

最新的中高電壓MOSFET簡介

    東芝已開發的第四代超級結的交界處600 V DTMOS IV MOSFET系列。材料使用特殊的state-of single epitaxial的製程，相比DTMOS III，DTMOS IV提供了一個減少30％的Ron·A。減少Ron·A在同一個包裝，它可以容納下更低Ron·A，這有助於提高工作效率和減少電源的損耗。

東芝已開發出第4代超級結600-V DTMOSⅣ MOSFET系列產品。通過採用最先進的單層外延工藝，DTMOSⅣ減少了30%的Ron･A, 這是MOSFET相較於其前一代產品DTMOSⅢ所具有的一個數位化的優點(FOM)。對於Ron A的降低，實現了在相同封裝中安裝較低Ron晶片的可能。這也有助於提升效率和減小電源的尺寸大小。

1. Ron･A減小了30%，這是MOSFET相較於其前一代產品(DTMOSⅢ)的一個數位化優點。

 

2. 因為採用了獨立單層外延工藝，所以在高溫時導通電阻增加較少。

 

3. 因為減小了Coss, 所以相較於前一代產品(DTMOSⅢ)，可以降低12%的開關損耗、Eoss。

• DTMOS IV: Eoss曲線

 

• ·具有相同Ron的產品的效率比較

 

 

4. 可用的導通電阻範圍廣泛，R_DS(ON) : 0.9 Ω–0.018 Ω 最大值

5. 多種封裝選擇

• 插針式:TO-220,TO-220SIS, IPAK, I2PAK, TO-3P(N), TO-3P(L), TO-247
• 表面貼裝型：DPAK, D2PAK

 

 

 

 

1) DTMOSⅣ(V _DSS = 600 V) Product Lineup

 

 

 

2) DTMOSⅣ(V_DSS = 600 V) High-Speed Switching Type product Lineup

 

 

 3) DTMOSⅣ(V_DSS = 600 V) with integrated High-Speed Diodes product Lineup

 

 

4) DTMOSⅣ(V_DSS = 650 V) product Lineup

 

 

5) DTMOSⅣ(V_DSS = 650 V) with integrated High-Speed Diodes product Lineup

 

 

 

無線充電IC

 

 

 

 

 

SiC肖特基位障二極體

    因採用了一個碳化矽（SiC）和寬能隙半導體，SiC肖特基位障二極體（SBD）能提供使用矽材料肖特基位障二極體時所無法實現的高擊穿電壓。作為一個單極性元件，SiC SBD具有非常短的逆向恢復時間和溫度獨立的開關特性，使它們非常適合替代Si矽材料快速恢復二極體（FRD）的應用，以提高電源效率。

功率因素校正電路、太陽能變頻器、不間斷電源（UPS）

在順向電流（IF）為4A/mm2和高溫區域條件下，SiC SBD產品TRS6E65C的順向電壓約比Si FRD產品5JUZ47高出40%。但是，在400V逆向電壓（VR）的條件下，TRS6E65C比5JUZ47的高溫漏電約低97%。

圖1：SiC SBD和Si FRD的峰值重複逆向電流vs峰值順向電壓（T_a=150°C）

       *5JUZ47將計劃停產。

SiC SBD比Si FRD提供更短的逆向復原時間。

測試條件：V_R=400V，I_F=6A，di/dt=200A/µs

 圖2：SiC SBD和Si FRD之間的逆向復原特性比較

       *5JUZ47將計劃停產。

SiC SBD的逆向復原時間對於溫度不敏感。

圖3：SiC SBD的逆向復原時間vs溫度依賴性

雖然SiC SBD的導通損耗高於Si FRD，但SiC SBD具有較低的切換損耗，所以總體損耗有所降低。

損耗模擬：I_F=6A，V_DD=400V，f=150kHz，50％Duty cycle

圖4：SiC SBD和Si FRD的損耗模擬結果比較

       *5JUZ47將計劃停產。

 

 

負載開關ICs

負載開關IC，電源IC，其中包含一個輸出MOSFET和輸出驅動器採用CMOS工藝製造。負載開關IC版本提供了小面積的解決方案。此外，負載開關IC可提供低工作電壓，低導通電阻和低電流消耗，並提供額外的功能。超小型封裝，尺寸小於1平方毫米，東芝的負載開關IC在便攜式應用的空間考量下，是為理想選擇。

 

 

 

光耦合器/光繼電器

 

 

 

東芝擁有40多年的光耦生產經驗，其應用領域廣泛，從逆變器和半導體測試系統等工業設備到空調和光伏發電系統等家用電器和房屋設備。
東芝提供的光耦包括一個大功率紅外LED和一個採用最新工藝的光電探測器。這些光耦經主要的國際安全標準認證，能提供高的隔離電壓和低功耗，所以非常適合應用於對安全性和環保性具有高要求的應用場合。

 

產品陣容

 

東芝光耦的特點

 

 

1．因採用大功率紅外LED所以可支援的工作溫度高達125°C，而且支持低LED電流工作

 

東芝已開發出全新的具有多量子阱（MQW）結構的大功率紅外LED，可廣泛應用於各類光耦中，如IC-輸出和電晶體輸出光耦。因採用了MQW LED的高可靠性設計，這些光耦能支援的工作溫度高達125°C，這是絕緣器件行業內的最高水準，同時還具有超長的使用壽命。在推薦的產品列表中，標有標識的光耦可支援高達125°C的工作溫度（Topr）。
利用大功率LED的特點，東芝也提供可支援低至1mA LED電流進行工作的廣泛的光耦產品陣容。這些光耦可直接由一個微控制器進行驅動，而無需中間緩衝器，這有助於減小系統功耗。

 

電晶體輸出光耦在飽和開關過程中的典型LED電流

 

光繼電器的初始保證LED觸發電流，IFT

 

2．加強絕緣類封裝

東芝提供一系列符合主要國際安全標準的加強絕緣類封裝。憑藉5mm的保證間隙和爬電距離，0.4 mm的內部隔離厚度，該小型表面安裝的SO6封裝相比於其他隔離解決方案具有更加穩定的隔離性能。EN60747-5-5 標準規定的最大工作絕緣電壓為707V；符合EN60747-5-5標準的光耦可用於替代其前一代使用DIP封裝的某些產品。這些光耦採用流焊設計，這就實現了公共器件於不同產品線中的應用並節省了電路板空間。

       * 截止於2013年4月

 

提高了安全標準

最大工作絕緣
電壓（EN60747-5-5）

 

在SO6封裝背面焊接光耦以節省空間

有助於節省電路板空間和提高設計靈活性

 

 

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