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Vishay推出A、B和T外形尺寸的具有470μF高電容和25mΩ低ESR的T55系列聚合物鉭片式電容器

 2016-02-24

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出A、B和T(低高度B外形的最大高度為1.2mm)外形尺寸,有8種新性能規格的器件,擴充其vPolyTan™的T55系列表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器。Vishay Polytech T55系列充分利用Vishay領先的封裝技術和近期在鉭聚合物技術上的投入成果,電容顯著提高,ESR大大降低,可用於電腦、通信和工業應用。

 

2.5V電壓下,B外形電容器的電容高達470μF,ESR為25mΩ,電容為330μF的電容器的ESR也較低,為25mΩ。6.3V電壓下,A和T外形尺寸的器件改善了ESR,100μF器件的ESR為70mΩ,33μF和220μF的B外形器件的ESR分別為40mΩ和35mΩ。10V電壓時,47μF的B外形尺寸器件的ESR低至70mΩ。

 

T55電容器的低ESR要歸功於其聚合物負極,這種負極使電容器的性能遠優於採用二氧化錳材料的器件。另外,這些器件具有高達2.28A IRMS的紋波電流和低內阻,可提高充電和放電特性。電容器適用於電腦、平板電腦、智慧手機、無線資料卡和固態硬碟裡的電源管理、電池解耦和儲能。

 

T55系列有J、P、A、B和T等5種小外形尺寸,電容從3.3μF到470μF,電壓等級從2.5V到10V,電容公差為±20%。器件在+25℃和100kHz下具有500mΩ~25mΩ的超低ESR,可在-55℃~+105℃溫度範圍內工作,溫度超過+85℃時需要電壓降額。

 

T55系列電容器採用無鉛端接,符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。器件適合高速自動拾放設備,潮濕敏感度等級(MSL)為3。

 

增強型T55系列現可提供樣品,並已實現量產。