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英飛凌推出 OptiMOS™ 線性 FET 兼具低 RDS(on) 和寬廣的安全操作區域

 2017-08-03

英飛凌推出 OptiMOS™ 線性 FET 系列產品,結合了先進溝槽式 MOSFET的 導通電阻 (RDS(on)) 與平面型 MOSFET 的寬廣安全操作區域,解決了需在 RDS (on) 和線性模式功能間抉擇的難題。新款OptiMOS 線性 FET 可以在強化模式 MOSFET 的飽和區運作,非常適用於電信及電池管理系統 (BMS) 中常見的熱插拔、電子熔絲和保護應用。

穩固的線性模式運作和高脈衝電流,可降低傳導損耗、加速啟動,並縮短停機時間。OptiMOS 線性 FET 可限制高湧浪電流,預防短路時發生負載損壞。


英飛凌OptiMOS 線性 FET 目前提供三種電壓等級:100 V、150 V 和 200 V,皆採用 D2PAK 或 D2PAK 7pin 封裝。上述業界標準封裝具有相容尺寸,方便直接替換。

供貨情形
OptiMOS 線性 FET 目前提供三種電壓等級:100 V、150 V 和 200 V,皆採用 D2PAK 或 D2PAK 7pin 封裝。上述業界標準封裝具有相容尺寸,方便直接替換。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/optimos-linearfet.