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Intel 3D NAND技術的DC P3520固態硬碟

 2016-01-21

日前,Intel、美光聯合宣佈全新的 “3D NAND” 技術。平面結構的NAND快閃記憶體的發展已接近其物理極限,給半導體記憶體行業帶來嚴峻挑戰。由英特爾與鎂光聯合開發而成的新的3D NAND技術,垂直堆疊了多層資料存儲單元。基於該技術,可製造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存放裝置。該技術可支援在更小的空間內容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。

  WPI-INTEL-TECHNOLOGY-LEADERSHIP-3D-NAND

 

INTEL首款採用3D NAND技術的SSD DC P3520系列將於2016年Q1上市,從下表中可以看到DC P3520系列最小的為1T,還有1.2TB,2TB,3.2TB可供選擇。

 WPI-INTEL-SSD-DC-P3520-FEATURE

 

封裝有AIC和2.5” U.2兩種介面,兩種介面都支援PCIe 3.0 x4連接。DC P3520提供450000 隨機讀取IOPS(每秒進行讀寫操作的次數)和44000寫入IOPS。和P3700相比,隨機讀取IOPS相當,隨機寫入IOPS有較大差距,這是因為P3520系列定位的使用壽命耐用性為0.35 DWPD,但還是完勝DC P3600和DC P3500系列。

 

新的DC P3520系列SSD功耗和當前的P3X00系列一樣,但因為3D NAND的低功耗特性,使之具有更好的性能表現。首款產品具有10-17  的UBER和2百萬小時的MTBF。

 

產品特性如下:

  • 大容量 — 存儲容量可達到現有3D技術的三倍,P3520存儲容量最高3.2G。
  • 每GB快閃記憶體成本更低 —3D NAND具有比平面結構的NAND更高的成本效益。
  • 快速 — 更高的讀/寫頻寬、I/O速度和隨機讀寫性能。
  • 綠色 — 全新睡眠模式支援低功耗使用,允許切斷不活躍NAND的晶片的電源(即使同一封裝內其他晶片處於活躍狀態也不受影響),從而顯著降低待機模式下的功耗。
  • 智慧 — 相比之前產品,系列創新特性改進了延遲問題和提高了耐用性,同時進一步簡化了系統集成工作。

 

創新的3D NAND技術使得DC P3520系列SSD能夠應用於最快速的資料中心,幫助企業用戶改善即時資料分析的應用,也可以説明消費級筆記本獲得系統級別的加速。”

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