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Vishay VRPower® DrMOS提供大電流、高效率和高功率密度

 2014-11-26

Vishay宣佈,推出採用小尺寸、散熱增強型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower®集成DrMOS新家族。Vishay Siliconix SiC620輸出電流超過60A,尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,但效率更高出3%,最高可達95%。這些器件封裝的寄生參數比離散方案小,使開關頻率可以達到1.5MHz,能有效提高功率密度,降低總體方案成本。

該器件包含的高端和低邊TrenchFET® Gen IV N溝道低導通阻抗的MOSFET,先進的MOSFET驅動IC,以及自舉的肖特基勢壘二極體,全部集成在小尺寸25mm2面積內。SiC620的驅動IC相容各種PWM控制器,支持5V和3.3V的三態PWM邏輯。

SiC620家族完全符合DrMOS 4.0標準,針對筆記型電腦、伺服器、遊戲機、圖形卡、交換機和存儲系統,以及其他採用CPU的高功率系統中的高功率、多相降壓穩壓器,以及大電流的非隔離負載點模組。Buck變換器在12V輸入時是最優的,輸入電壓可以從4.5V到16V的範圍,PWM傳輸延遲小於20ns。器件具有優異的散熱性能,工作溫度比前一代方案的溫度低50℃以上。

器件的驅動IC集成了零電流檢測電路,可以改善輕負載條件下的效率,且自我調整式死區時間控制有助於進一步提高所有負載點下的效率。保護功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護和過熱警告以便在結溫過高時向系統發出警告。

 

 

WPI-VISHAY__SiC620