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Toshiba東芝推出40V電壓功率MOSFET “U-MOS IX -H”系列產品

 2015-05-20

Toshiba東芝公司推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統的U-MOS VI-H系列,新系列減少了76%的導通電阻,實現業界頂級的低導通電阻。此外,它還減少了Qoss的增加,進而提高開關電源的效率。

 

 

 

主要特性

  • 業界頂級的低導通電阻:0.85mΩ(最大值)
  • 業界頂級的低RDSON・Qoss:60mΩ・nC

 

應用

適用於主機板, 伺服器和電信基站的高效開關電源

 

主要規格

產品名稱

封裝

VDSS(V)

RDSON
最大值(mΩ)
VGS=10V時

Ciss
典型值
(pF)

Qoss
典型值
(nC)

TPHR8504PL

SOP Advance

40

0.85

7370

85.4

 

 

 

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