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Vishay 發佈採用小尺寸PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝的非對稱雙片TrenchFET® Gen IV MOSFET

 2014-07-21

Vishay 發佈採用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET® Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝裡,導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%,功率密度高25%,效率高5%,可節省空間,並簡化高效同步降壓轉換器的設計。

SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技術使用了非常高密度的設計,能夠降低導通電阻,而不會大幅增加柵極電荷,從而使傳導損耗最小,並減少在更高功率輸出情況下的總功率損耗。因此,SiZ340DT的低邊通道2的MOSFET在10V和4.5V柵極驅動下的導通電阻只有5.1mΩ和7.0mΩ。高邊通道1的MOSFET在10V和4.5V下的導通電阻為9.5mΩ和13.7mΩ。

器件適用於“雲計算”基礎設施、伺服器、電信設備和各種用戶端電子設備,以及移動計算中的同步降壓。預計用到這款器件的DC/DC模組包括伺服器、電腦、筆記型電腦、圖形卡、遊戲機、存儲陣列、電信設備、DC/DC磚式電源和POL中的系統輔助電源。SiZ340DT還可以用在給FPGA供電的DC/DC轉換電路中。

在這些應用中,器件可以把通道1的MOSFET的柵極電荷保持在5.6nC,通道2的MOSFET的柵極電荷保持在10.1nC。這樣,就可以得到較低的導通電阻與柵極電荷乘積,進而降低傳導和開關損耗,提高系統的總體效率。導通電阻與柵極電荷乘積是DC/DC轉換器中MOSFET的優值係數(FOM)。憑藉更高的轉換效率,SiZ340DT在相同輸出負載下的發熱比前一代器件低30%,或是在發熱相同的情況下提高功率密度。

對於10A~15A輸出電流和輸出電壓低於2V的典型DC/DC拓撲,SiZ340DT的3mm x 3mm小占位面積比使用分立器件的方案最多可節省77%的PCB空間,比如高邊使用PowerPAK® 1212-8 MOSFET,低邊使用PowerPAK SO-8 MOSFET的方案。由於降低了開關損耗,器件的開關頻率可以超過450kHz,允許使用更小的電感器和電容器,在不犧牲性能的前提下達到縮小PCB尺寸的目的。另外,這款MOSFET的性能優於多片並排使用的前一代器件,有可能減少元器件總數,並簡化設計。

SiZ340DT進行了100%的Rg和UIS測試,符合JEDEC JS709A的無鹵素規定和RoHS指令2011/65/EU。



下一代器件的最大RDS(ON)降低57%,提高了轉換效率




VISHAY簡介

Vishay 是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請瀏覽網站 www.vishay.com