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NXP推出全球首款2 mm x 2 mm、採用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET

 2012-07-04

轉換功率用的空間節約型器件以及負載開關提升了NXP超小型低導通電阻RDS(on) DFN MOSFET產品的組合

 

 

NXP近日推出業內首款2 mm x 2 mm、採用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳) 封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢,與傳統無引腳封裝相比,焊接連接品質更好。

 

即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30V N溝道MOSFET是採用NXP DFN2020MD-6 (SOT1220)封裝的20多類器件中率先推出的兩款產品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大於10A,10V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值),因此導通損失小,功耗更低,電池使用壽命更長。

 

新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米,比當今市場上大多數2 mm x 2 mm的產品更加輕薄,是智慧手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關、電源轉換器和充電開關的理想之選。該款MOSFET還適用於其他空間受限應用,其中包括直流電機、伺服器和網路通信以及LED照明,在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一,提供與其相當的熱阻,能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值範圍的許多大型MOSFET封裝,如SO8封裝、3 mm x 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

 

新型MOSFET提升了NXP超小型無引腳MOSFET產品線,截止到今年年末將有超過60種封裝,封裝尺寸為2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今,NXP是超小型低導通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產商,提供電平場效應電晶體(FET)和雙極電晶體技術。

 

有關NXP新型DFN2020 MOSFET的更多資訊,請訪問http://www.nxp.com/ultra-small-mosfets

 

 

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關於NXP Semiconductors

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