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安森美半導體擴展至高性能、高密度 功率集成模塊(PIM)市場

 2015-08-12

提升功效保持可靠的運行並簡化系統開發

 

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),推出最先進的80安(A)功率集成模塊(PIM),具領先業界的性能,用於要求嚴格的不間斷電源(UPS)、工業變頻驅動器和太陽能逆變器等應用。

 

NXH80T120L2Q0PG PIM採用安森美半導體的專有溝槽第二代場截止技術(FSII)及強固的超快快速恢復二極管,配置為1200伏(V)、80 A半橋和600 V、50 A中點鉗位元式T型拓撲結構,達到超過98%的能效。可配置的封裝平台採用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術及專有的壓合(press-fit)引腳,為客戶提供高性能和可靠的功率模塊方案。

 

安森美半導體擴展至PIM市場,源自於30多年的開發汽車點火IGBT和智慧功率模組(IPM)的經驗。NXH80T120L2Q0PG PIM運用安森美半導體豐富的封裝專知,結溫為175 °C,完全符合最高行業可靠性標準。此外,安森美半導體的模塊方案為客戶提供完全一體化的硅和封裝供應鏈,確保高品質和成本效益。

 

安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說:「功率集成模組(PIM)是我們功率願景的關鍵一環,使我們能擴展至更高功率的工業和汽車市場。這新的、極其強固的功率模塊平台見證我們投入於提供全面的功率分立和模塊方案的產品陣容,使客戶能滿足他們的高能效、高功率密度方案的需求。」

 


封裝

NXH80T120L2Q0PG採用Q0PACK封裝(尺寸65.9 mm x 32.5 mm x 11.75 mm)。