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安森美半導體推出全系列雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器

 2015-08-12

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),推出一系列新的高性能器件,進一步加強了低壓降(LDO)線性穩壓器產品陣容,以支援雙倍數據速率(DDR)記憶體。NCP51200NCP51400NCP51510NCP51199採用內建功率MOSFET,針對在電腦、資料網路、工業和手持消費市場等廣泛應用中的特定應用如SDRAM DIMM記憶體、伺服器、路由器、智慧手機、平板電腦平台、機上盒、智慧電視、印表機和個人電腦/筆記型電腦主機板。還提供經AEC-Q100認證的版本用於汽車應用如嵌入式GPS定位系統、資訊娛樂和無線網路及藍牙通信。

 

這些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 標準,終端電壓(VTT)低至500毫伏(mV)。當與DDR4和LPDDR4使用時,每一種的主動源電流和汲電流能力達2安培(A)。此外,當使用DDR4 和LPDDR4時,NCP51145可支援高達1.2 A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供2 A和1.5 A源汲電流,而NCP51200和NCP51510指定運行於3 A峰值電流並支援遠端感測。這些高度整合的DDR終端LDO的優勢還包括平穩啟動、晶載熱關閉和(對一些器件) 欠壓鎖定機制。每款器件都有高速微分放大器,對線性電壓和負載電流瞬變提供超快回應。所有這些器件還都相容DDR1 和DDR2 ,易於升級到更新的DDR記憶體。工作溫度範圍指定為 -40 °C 至 +125 °C,汽車版本可擴展至+150 °C。

 

安森美半導體積體電路產品副總裁Simon Keeton說:「DDR記憶體廣泛擴展至許多非傳統產品如連接和物聯網(IoT)促使數據傳輸增強。我們目前為整個DDR市場提供全面的變革器件,適用於新的設計專案,以及直接替代現有器件;但具更高性能以支援將來記憶體的升級。NCP51400和NCP51510是很高階的積體電路(IC),能支援下一代DDR技術,而NCP51145結合卓越的性能及具吸引力的價格。此外,我們提供通過汽車認證(AEC-Q100)的版本,使最新的資訊娛樂和安全系統能跟上新車客戶期望的資料要求。」

 

封裝

擴展了的15個NCP51xxx LDO 方案提供3 種不同的封裝,包括8-pin的SOIC-EP、8-pin2x2 mm的DFN、和10-pin3x3 mm的DFN封裝。